Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ Evaluierungsboard

Das Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ Evaluierungsboard verfügt über den LTC7891 synchronen 100-V-GaN-FET-Abwärtsregler. Der LTC7891 ist speziell für die sichere und einfache Ansteuerung von bis zu 100-V-GaN-FETs über intern optimierte Bootstrap-Schalter und Smart-Totzeit-Steuerung ausgelegt. Geteilte Gate-Treiber ermöglichen ein einfach einstellbares Ein- und Ausschalten der FETs. Darüber hinaus verfügt der IC über einen niedrigen IQ, eine programmierbare/synchronisierbare Schaltfrequenz von bis zu 3 MHz, eine Frequenzspreizung und ein kleines, benetzbares 28-Pin-QFN-Gehäuse (4 mm x 5 mm). Diese Funktionen ermöglichen verschiedene Industrie-, Militär-, Medizin- und Telekommunikations-Applikationen.

Das EVAL-LTC7891-AZ wird von einem Eingangsspannungsbereich von 15 V bis 72 V betrieben und erzeugt einen Ausgang von 12 V, 20 A. Der LTC7891 verfügt über eine Präzisionsspannungsreferenz, die eine Ausgangsspannung mit einer Toleranz von 2 % über die vollen Betriebsbedingungen erzeugen kann. Das EVAL-LTC7891-AZ von Analog Devices Inc. ist auf eine Schaltfrequenz von 500 kHz eingestellt, was zu einer kleinen und effizienten Schaltung führt. Der Wandler erreicht einen Wirkungsgrad von über 96 % mit einer Last von 20 A bei voller Betriebsspannung VIN mit einem Spitzenwirkungsgrad von über 99 %.

Dieses Board kann einfach geändert werden, um Ausgangsspannungen von 0,8 V bis 60 V zu regeln. Die Evaluierungsschaltung ist speziell mit dem EPC-GaN-FET-Formfaktor von 100 V ausgelegt. Verschiedene FETs mit ähnlichem Footprint können für eine große Auswahl von Applikationen ersetzt werden.

Merkmale

  • LTC7891 Integrierter synchroner 100-V-GaN-FET-Abwärtsregler
  • Wird in einem Eingangsspannungsbereich von 15 V bis 72 V betrieben
  • Erzeugt einen Ausgang von 12 V, 20 A
  • 500kHz Schaltfrequenz
  • Speziell entwickelte Evaluierungsschaltung mit dem EPC-GaN-FET-Formfaktor von 100 V
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Automobil-Applikationen
  • Kommunikation
  • Rechenzentren
  • GaN (Gallium Nitride)

Übersicht

Analog Devices Inc. EVAL-LTC7891-AZ Evaluierungsboard
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-16 | Aktualisiert: 2024-01-26