Analog Devices Inc. ADuM3223/ADuM4223 Isolierte Halbbrückentreiber
Analog Devices ADuM3223/ADuM4223 Isolierte Präzisions-Halbbrücken-Gate-Treiber sind zur Verbesserung der Leistung ausgelegt und erfüllen die Sicherheitsanforderungen von Applikationen wie Schaltnetzteile, Solarwechselrichter und Motorsteuersysteme. Die Verwendung der ADuM3223/ADuM4223 isolierten Präzisions-Halbbrücken-Gate-Treibern ermöglicht Entwicklern eine zuverlässige Kontrolle über die Schalteigenschaften von IGBT/MOSFET-Konfigurationen in einer großen Auswahl von positiven oder negativen Schaltspannungen.
Der ADuM3223-Gate-Treiber bietet 3 kVrms Isolation in einem schmalen SOIC-Gehäuse, während der ADuM4223-Gate-Treiber 5 kVrms verstärkte Isolation in einem breiten SOIC-Gehäuse bietet. Die Geräte arbeiten mit einer Eingangsspannung von 3,3 V bis 5,5 V und haben einen Spitzenausgangsstrom von 4 A. Der Eingangsspannungsbereich von 3,3 V bis 5,5 V ermöglicht die Kompatibilität der Bauteile mit Niederspannungssystemen. Die isolierten Gate-Treiber ADuM3223/ADuM4223 bieten zudem eine Laufzeitverzögerung von weniger als 55 ns und eine Verzögerung von weniger als 5 ns, wodurch die Geräte bis zu viermal schneller sind als Geräte mit Optokoppler-Technologie.
Merkmale
- 4 A Ausgangsstromspitze
- High-Side oder Low-Side relativ zu Eingang: 537 VSPITZE
- High-Side oder Low-Side differenziell: 800 VSPITZE
- Hochfrequenzbetrieb: max. 1 MHz
- 3,3 V bis 5 V CMOS-Eingangslogik
- 4,5 V bis 18 V Ausgangsantrieb
- UVLO bei 2,5 V VDD1
- ADuM3223A/ADuM4223A UVLO bei 4,1 V VDD2
- ADuM3223B/ADuM4223B UVLO bei 7,0 V VDD2
- ADuM3223C/ADuM4223C UVLO bei 11,0 V VDD2
- 54 ns maximale Isolator- und Treiberverteilungsverzögerung
- 5 ns maximale Kanalanpassung
- CMOS-Eingangslogikebenen
- Hohe flüchtige Gleichtaktsicherheit: >25 kV/μs
- Verbesserte ESD-Leistung auf Systemebene gemäß IEC 61000-4-x
- Hoher Sperrschichttemperaturbetrieb: 125°C
- Thermischer Shutdown-Schutz Standard-Niedrigausgang
- Qualifiziert für Automobil-Applikationen
- UL-Zulassung für UL 1577
- 3000 Vrms für 1 Minute langes SOIC-Gehäuse (ADuM3223)
- 5000 Vrms für 1 Minute langes SOIC-Gehäuse (ADuM4223)
- CSA Component Acceptance Notice 5 A
- VDE-Konformitätszertifikat
- DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
- VIORM = 560 VSpitze (Adum3223)
- VIORM = 849 VSpitze (adum4223)
Applikationen
- Schaltnetzteile
- Isolierte IGBT/MOSFET-Gate-Treiber
- Industrielle Wechselrichter
- Automobil
Funktionales Blockdiagramm
Videos
Additional Resources
Coupler Technology Benefits Gallium Nitride (GaN) Transistors in AC/DC Designs
GaN transistors with smaller device sizes, lower on resistance, and higher working frequency offer many advantages over traditional silicon-based MOSFETs. Adopting GaN technology could cut total solution size without compromising efficiency.
Maximum Power Limit for Withstanding Insulation Capabilities of Modern IGBT/MOSFET Gate Drivers
Dazugehörige Evaluationstools anzeigen
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Bewertet die Funktionen der isolierten Präzisions-Halbbrücken-Gate-Treiber ADuM3223.
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Bewertet die Funktionen der isolierten Präzisions-Halbbrücken-Gate-Treiber ADuM4223.
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Power Board für Bauteile, die auf der Isolated Inverter Enhanced Protection Platform evaluiert wurden.
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