Analog Devices Inc. ADRF5717 Digitale Silizium-Dämpfer
Die Analog Devices Inc. ADRF5717 Digitalen Silizium-Dämpfer sind digitale 2-bit-Dämpfer mit einem Dämpfungsbereich von 48 dB in 16 dB-Schritten, die einen störungsfreien Betrieb unterstützen. Diese Dämpfer arbeiten in einem Ultrabreitband-Frequenzbereich von 1 MHz bis 30 GHz mit einer Einfügungsdämpfung über 2,8 dB und einer Dämpfungsgenauigkeit von 3,3 dB. Die ADRF5717 digitalen Silizium-Dämpfer bieten ATTIN- und ATTOUT-Anschlüsse, die eine RF-Eingangsstrombelastbarkeit von 30 dBm im stationären Zustand und einen stationären Spitzenwert von 33 dBm bieten. Diese Dämpfer verfügen über eine Dual-Versorgungsspannung von 3,3 V und -3,3 V und unterstützen einen Einzelversorgungsbetrieb. Die ADRF5717 Silizium-Dämpfer sind mit komplementären Metalloxid-Halbleitern (CMOS) und Niederspannungs-Transistor-Transistor-Logikschaltung (LVTTL) kompatibel. Zu den typischen Applikationen gehören Industrie-Scanner, Prüf- und Messgeräte, 5G-Millimeterwellen-Mobilfunkinfrastruktur, elektronische Gegenmaßnahmen (ECMs), Mikrowellenfunkgeräte und VSATs (Very Small Aperture Terminals, VSATs).
Merkmale
- 1 MHz bis 30 GHz Ultrabreitband-Frequenzbereich
- 16-dB-Schritte (typisch) zum 48 dB Dämpfungsbereich
- Geringe Einfügungsdämpfung:
- 1,5 dB at 8 GHz
- 2 dB at 18 GHz
- 2,8 dB at 30 GHz
- Dämpfungsgenauigkeit:
- ± (0,20 + 2,3 % des Dämpfungszustands) dB typisch bis zu 8 GHz
- ± (0,30 + 3,2 % des Dämpfungszustands) dB typisch bis zu 18 GHz
- ± (0,30 + 6,5 % des Dämpfungszustands) dB typisch bis zu 30 GHz
- Typischer Stufenfehler:
- ±0,8 dB typisch bis zu 8 GHz
- ±1,3 dB typisch bis zu 18 GHz
- ±3,3 dB typisch bis zu 30 GHz
- Hohe Eingangslinearität:
- 30 dBm typischer P0.1dB Einfügungsdämpfungszustand
- 30 dBm Typ. P0.1dB andere Dämpfungszustände
- 51 dBm Typischer IP3-Einfügungsdämpfungszustand
- 49 dBm Typischer IP3 anderer Dämpfungszustand
- Hohe RF-Belastbarkeit:
- Eingang bei ATTIN und ATTOUT:
- 30 dBm Typischer Mittelwert im stationären Zustand
- 33 dBm Typischer Spitzenwert im stationären Zustand
- Eingang bei ATTIN und ATTOUT:
- Typische HF-Amplituden-Einschwingzeit: 6,6 µs (0,1 dB des endgültigen HF-OUT)
- Unterstützt Einzelversorgungsbetrieb
- Enge Verteilung in relativer Phase
- Keine Niederfrequenz-Störsignale
- Parallelmodus-Steuerung und RoHS-konform
- kompatibel mit komplementären Metalloxid-Halbleitern (CMOS)/Niederspannungs-Transistor-Transistor-Logikschaltung (LVTTL)
- 20-Anschluss, 3 mm x 3 mm und Land-Raster-Array[LGA]
Applikationen
- Industrie-Scanner
- Prüf- und Messgeräte
- 5 G-Millimeterwellen-Mobilfunk-Infrastruktur
- Militärfunkgeräte und Radarsysteme
- Elektronische Gegenmaßnahmen (ECMs)
- Mikrowellenfunkgeräte
- Very Small Aperture Terminals (VSATs)
Vereinfachtes Applikations-Schaltungsdiagramm
Pin-Konfigurationsdiagramm
Abmessungs-Diagramm
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Veröffentlichungsdatum: 2024-01-31
| Aktualisiert: 2024-03-06