Analog Devices Inc. ADRF5515 Empfänger-Frontend
Das Analog Devices Inc. ADRF5519 Empfänger-Frontend ist ein integriertes Zweikanal-HF-Frontend-Multichipmodul, das für TDD-Applikationen (Time-Division Duplexing, TDD) ausgelegt ist. Das ADRF5515 Frontend ist in zwei Kanälen mit einem kaskadierenden, zweistufigen LNA und einem Hochleistungs-Silizium-SPDT-Schalter konfiguriert.
Das ADRF5515 Empfänger-Frontend von ADI nutzt einen Modus mit hoher Gain und einen Abschaltmodus. Im hohen Gain-Modus bieten der kaskadierte Zweiphasen-LNA und der Schalter einen niedrigen Rauschfaktor von 1,0 dB und eine hohe Gain von 33 dB bei 3,6 GHz mit einem Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung (OIP3) von 32 dBm (typisch). Im niedrigen Gain-Modus befindet sich eine Phase des Zweiphasen-LNA im Bypass und bietet eine Gain von 16 dB bei einem niedrigeren Strom von 36 mA. Im Abschaltmodus sind die LNAs abgeschaltet und das Bauteil nimmt 12 mA auf.
Im Sendebetrieb bietet der Schalter eine geringe Einfügungsdämpfung von 0,45 dB, wenn die HF-Eingänge mit einem Anschlusskontakt (TERM-CHA oder TERM-CHB) verbunden sind. Der Schalter verarbeitet eine durchschnittliche langfristige Evolutionsleistung (LTE) (9 dB Spitzen-zu-Durchschnittsverhältnis (PAR)) von 43 dBm für einen Betrieb über die gesamte Lebensdauer. Der ADRF5515 ist mit der ADRF5545A 10-W-Version Pin-kompatibel, die von 2,4 GHz bis 4,2 GHz betrieben wird.
Der ADRF5515 erfordert keine passenden Bauelemente an den HF-Anschlüssen, die intern auf 50 Ω abgestimmt sind. Darüber hinaus sind die ANT- und TERM-Anschlüsse intern AC-gekoppelt. Daher erfordern nur Empfängeranschlüsse externe DC-Sperrkondensatoren.
Der ADRF5515 wird von 3,3 GHz bis 4,0 GHz betrieben und ist in einem RoHS-konformen, kompakten 40-Pin-LFCSP-Gehäuse von 6 mm × 6 mm untergebracht.
Merkmale
- Integriertes Zweikanal-HF-Frontend
- Zweiphasen-LNA und SPDT-Hochleistungs-Siliziumschalter
- On-Chip-Vorspannung und -Anpassung
- Einfachversorgungsbetrieb
- Gain
- Hoher Gain-Modus: 33 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Niedriger Gain-Modus: 16 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Niedriger Rauschfaktor
- Hoher Gain-Modus: 1,0 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Niedriger Gain-Modus: 1,0 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Hohe Isolierung
- RXOUT-CHA und RXOUT-CHB: 45 dB (typisch)
- TERM-CHA und TERM-CHB: 60 dB (typisch)
- Geringe Einfügungsdämpfung: 0,45 dB bei 3,6 GHz (typisch)
- Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 105 °C
- Gesamte Lebensdauer
- LTE-Durchschnittsleistung (9 dB PAR): gesamte Lebensdauer 43 dBm
- Gesamte Lebensdauer
- Hoher OIP3 (hoher Gain-Modus): 32 dBm (typisch)
- Abschaltmodus und niedriger Gain-Modus für LNA
- Niedriger Versorgungsstrom
- Hoher Gain-Modus: 86 mA bei 5 V (typisch)
- Niedriger Gain-Modus: 36 mA bei 5 V (typisch)
- Abschaltmodus: 12 mA bei 5 V (typisch)
- Positive Logiksteuerung
- 40-Pin-LFCSP-Gehäuse von 6 × 6 mm
- Pin-kompatibel mit der ADRF5545A 10-W-Version
Applikationen
- Drahtlose Infrastruktur
- TDD-Massiv-Mehrfacheingang und -Mehrfachausgang und aktive Antennensysteme
- TDD-basierte Kommunikationssysteme
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