Zurück zu Analog Devices Inc.

Analog Devices Inc. ADRF5162 Hochleistungs-Silizium-SPDT-Reflexionsschalter

Der Analog Devices Inc.  ADRF5162 reflektierende Hochleistungs-Silizium-SPDT-Schalter (Single-Pole Double-Throw) ist ein reflektierender Schalter, der mit dem Siliziumprozess hergestellt wird. Der ADRF5162 wird von 0,4 GHz bis 8 GHz mit einer typischen Einfügungsdämpfung von 0,6 dB und einer typischen Isolierung von 45 dB betrieben. Das Bauteil bietet eine Hochfrequenz-Eingangsstrombelastbarkeit (HF) von einer durchschnittlichen Leistung von 45,5 dBm und eine Spitzenleistung von 50 dBm für den Einfügungsdämpfungspfad.

Der ADRF5162 von Analog Devices zieht einen niedrigen Strom von 130 μA bei der positiven Versorgung von +3,3 V und 500 μA bei der negativen Versorgung von -3,3 V. Das Bauteil verwendet Steuerungen, die mit CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) und LVTTL (Low-Voltage Transistor-to-Transistor Logic) kompatibel sind. Der ADRF5162 benötigt keine zusätzliche Treiberschaltung, was ihn zu einer idealen Alternative zu GaN- und PIN-Dioden-basierten Schaltern macht.

Der ADRF5162 wird in einem RoHS-konformen, 4,0 mm x 4,0 mm 24-Pin-LFCSP-Gehäuse (Lead Frame Chip Scale Package) geliefert und wird von -40 °C bis +105 °C betrieben.

Merkmale

  • 0,4 GHz bis 8 GHz Frequenzbereich
  • Niedrige Einfügungsdämpfung von 0,6 dB bis 4 GHz (typisch)
  • Hohe Isolierung von 45 dB bis 4 GHz (typisch)
  • Hohe Eingangslinearität
    • 0,1 dB Leistungskompression (P0, 1dB): 50 dBm
    • >76 dBm Schnittpunkt der dritten Ordnung (IP3)
  • 1,2 μs/0,1 dB HF-Einschwingzeit mit PIN ≤43 dBm
  • Keine Niederfrequenzstörung
  • CMOS/LVTTL-kompatible Schnittstelle mit positiver Steuerung
  • -40 °C bis +105 °C Betriebstemperaturbereich
  • Hohe Belastbarkeit beiTCASE = +85 °C
    • Einfügungsdämpfungspfad
      • 45,5 dBm Durchschnitt
      • 48,5 dBm gepulst (>100 ns Impulsbreite, 15 % Tastverhältnis)
      • 50 dBm Spitze (≤100 ns Spitzendauer, 5 % Tastverhältnis)
    • 43 dBm Hot-Switching bei RFC
  • 4,0 mm × 4,0 mm 24-Pin-LFCSP-Gehäuse
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Militärfunkgeräte, Radargeräte und elektronische Gegenmaßnahmen
  • Mobilfunkinfrastrukturen
  • Prüf- und Messgeräte
  • GaN- und PIN-Dioden-Ersatz

Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Analog Devices Inc. ADRF5162 Hochleistungs-Silizium-SPDT-Reflexionsschalter
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-30 | Aktualisiert: 2025-01-28