Analog Devices Inc. ADRF5142 Reflektierende Silizium-SPDT-Schalter
Die reflektierenden Silizium-SPDT-Schalter der Baureihe ADRF5142 von Analog Devices sind reflektierende Single-Pole-Double-Throw-Schalter (SPDT), die aus Silizium hergestellt werden. Der ADIADRF5142 arbeitet von 8 GHz bis 11 GHz mit einer typischen Einfügungsdämpfung von 1,2 dB und einer typischen Isolierung von 40 dB. Das Bauteil liefert eine Hochfrequenz-Eingangsstrombelastbarkeit (HF) von einer durchschnittlichen Leistung von 41 dBm und einer Spitzenleistung von 46 dBm für den Einfügungsdämpfungspfad. Der ADRF5142 zieht einen niedrigen Strom von 130μA bei positiver Versorgung von +3,3 V und 500μA bei negativer Versorgung von -3,3 V. Das Bauteil nutzt komplementäre Metalloxid-Halbleiter (CMOS) -/Niederspannungs-Transistor-zu-Transistor-Logik-kompatible Steuerungen (LVTTL). Der ADRF5142 benötigt keine zusätzliche Treiberschaltung, was ihn zu einer ausgezeichneten alternative zu GaN- und PIN-Dioden-basierten Schaltern macht.Der ADRF5142 ist in einem RoHS-konformen 20-poligen, 3,0 mm x 3,0 mm LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) mit einer Betriebsspannung von -40 °C bis +85 °C untergebracht.
Merkmale
- Frequenzbereich von 8 GHzz bis 11 GHzz
- Hohe Eingangslinearität
- 0,1 dB Leistungskompression (P0, 1dB) bei 46 dBm
- Schnittpunkt der dritten Ordnung (IP3) von 70 dBm
- Hohe Belastbarkeit bei TCASE = 85 °C:
- Einfügungsdämpfung
- Durchschnitt von 41 dBm
- Gepulst (>100 ns Pulsbreite, 15 % Tastverhältnis) von 44 dBm
- Spitzenwert (≤ 100 ns Spitzendauer, 5 % Tastverhältnis) von 46 dBm
- Hot-Switching bei RFC (Pin 3) von 41 dBm
- Einfügungsdämpfung
- Geringe Einfügungsdämpfung von 1,2 dB (typisch)
- Hohe Isolierung von 40 dB (typisch)
- Schnelle Schaltzeit bei 60 ns
- 0,1 dB HF-Einschwingzeit bei 65 ns
- Keine Niederfrequenzstörung
- Positive Steuerungsschnittstelle: CMOS-/LVTTL-kompatibel
- 20-poliges, LGA-Gehäuse mit den Abmessungen 3,0 mm x 3,0 mm
- Pin-kompatibel mit dem ADRF5141 und dem ADRF5144
Applikationen
- X-Band-Kommunikation und Radaranlagen
- Elektronische Kriegsführung
- Satellitenkommunikationssysteme
- Ersatz für Galliumnitrid (GaN) und PIN-Dioden
FUNKTIONALES BLOCKDIAGRAMM
Veröffentlichungsdatum: 2024-07-29
| Aktualisiert: 2024-08-05
