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Murata Power Solutions MGJ2 isolierte 2 W Gate-Treiber DC/DC-Wandler

Murata Power Solutions MGJ2 isolierte 2 W Gate-Treiber DC/DC-Wandler eignen sich hervorragend für die Stromversorgung von High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber-Schaltungen für IGBT-/SIC- und MOSFET-Bauteile in Brückenschaltungen.  Eine Vielzahl von asymmetrischen Ausgangsspannungen bieten optimale Treiberlevel für einen idealen Systemwirkungsgrad. Alle drei MGJ2-Baureihen zeichnen sich durch hohe Isolationsanforderungen aus, die typischerweise in Brückenschaltungen im Rahmen von Motorantrieben und Umrichtern verwendet werden.  Die MGJ2-Industriestandard-Temperatureinstufung und Bauweise sorgen für Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer. Murata Power Solutions MGJ2 isolierte 2 W Gate-Treiber DC/DC-Wandler sind in einer für die Oberflächenmontage geeigneten oder SIP-Gehäuseausführung verfügbar.

Merkmale

  • MGJ2 SIP-Baureihe
    • Optimierte bipolare Ausgangsspannungen für IGBT- und MOSFET-Gate-Treiber
    • SIP-Gehäuseausführung
    • Verstärkte Isolierung gemäß UL 60950 anerkannt
    • ANSI/AAMI ES60601-1, 1 MOPP/2 MOOPs anerkannt
    • 5,2 kVDC Isolationsprüfspannung Hipot-Test
    • Extrem niedrige Kopplungskapazität
    • Eingänge: 5 V, 12 V, 15 V und 24 V
    • Ausgänge: +15 V / -3 V, +15 V / -5 V, +15 V / -8,7 V, +15 V / -15 V, +17 V / -9 V, +18 V / -2,5 V, +20 V / -3,5 V und +20 V / -5 V
    • Betrieb bis +100 °C
    • 2,4 kVDC ununterbrochene Barriere-Widerstandsspannung
  • MGJ2B SIP-Baureihe
    • Optimierte bipolare Ausgangsspannungen für IGBT/SIC und MOSFET-Gate-Treiber
    • SIP-Gehäuseausführung
    • Verstärkte Isolierung gemäß UL 62368-1 anerkannt
    • ANSI/AAMI ES60601-1, 1 MOPP/2 MOOPs Zulassung ausstehend
    • 5,4 kVDC Isolationsprüfspannung Hipot-Test
    • Extrem niedrige Isolationskapazität
    • Eingänge: 5 V, 12 V, 15 V und 24 V
    • Ausgänge: +15 V / -3 V, +15 V / -5 V, +15 V / -8,7 V, +15 V / -15 V, +17 V / -9 V, +18 V / -2,5 V, +18 V / -5 V, +20 V / -3,5 V und +20 V / -5 V
    • Betrieb bis +105 °C
    • 2,4 kVDC ununterbrochene Barriere-Widerstandsspannung
  • MGJ2 SMT-Baureihe
    • Optimierte bipolare Ausgangsspannungen für IGBT/SIC und MOSFET-Gate-Treiber
    • Für Oberflächenmontage geeignete Gehäuseausführung
    • Patentgeschützt
    • Verstärkte Isolierung gemäß UL 62368, Zulassung ausstehend
    • ANSI/AAMI ES60601-1 Zulassung ausstehend
    • 5,7 kVDC Isolationsprüfspannung Hipot-Test
    • Extrem niedrige Isolationskapazität
    • Eingänge: 5 V, 12 V und 15 V
    • Ausgänge: +15 V / -9 V, +15 V / -5 V und +20 V / -5 V
    • Betrieb bis zu +100 °C (mit Drosselung)
    • Gegen Kurzschluss geschützt
    • 2,5 kV ununterbrochene Barriere-Widerstandsspannung
  • Alle Baureihen
    • Charakterisierter CMTI > 200 kV/µS
    • Charakterisierte Teilentladungsleistung

Applikationen

  • Industrieanlagen
    • Motorantriebe/Bewegungssteuerung
    • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
    • Umrichter (Solar, Wind etc.)
    • Hochleistungs-AC/DC-PSUs
    • Elektrofahrzeuge/HEVs
    • Lichtbogenschweißgeräte
    • CNC-Maschinen (Fräsen, Bohrmaschinen etc.)
    • Robotik
    • Industrielle Hochleistungsanwendungen (Induktionsheizungen)
  • Medizinische Geräte
    • Bildgebung (Röntgen, CT, MRT)
    • Ultraschall
    • Defibrillatoren

Weitere Ressourcen

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Veröffentlichungsdatum: 2014-05-05 | Aktualisiert: 2023-09-01