Zurück zu Micron

Micron RLDRAM-Speicher

Der Micron RLDRAM-Speicher ist eine Hochleistungslösung mit hoher Dichte für schnellen SRAM-ähnlichen Zufallszugriff. Die Bauelemente verfügen über modernstes DDR3 für eine dauerhaft hohe Bandbreite. RLDRAM verwendet innovative Schaltungsdesigns, um die Zeit zwischen dem Beginn eines Zugriffszyklus und dem Moment, in dem die ersten Daten verfügbar sind, zu reduzieren. Dies macht den RLDRAM bestens geeignet für die 10GbE-, 40GbE- und 100GbE-Gehäuse-Pufferung und Inspektionen. Der RLDRAM wird von zahlreichen FPGAs und Netzwerkprozessorlösungen unterstützt.

Merkmale

  • High-performance, high-density solution for fast SRAM-like random access
  • Outpaces leading-edge DDR3 for sustained high bandwidth
  • Circuit designs minimize the time between the beginning of an access cycle and the instant that the first data is available

Applikationen

  • 10GbE, 40GbE, and 100GbE packet buffering and inspections
  • FPGAs
  • Network processor solutions

Nach Dichte

Micron RLDRAM-Speicher

Weitere Ressourcen

Verwandte Produkte

Micron DRAM

Beschleunigt die Markteinführungszeit mit qualitativ hochwertigen DRAM-Komponenten, die gründlich getestet werden.

Learn Moreüber Micron DRAM View Productsverwandt mit Micron DRAM

Micron DDR-SDRAM

Ermöglicht Applikationen, Daten über die aufsteigenden und abfallenden Flanken eines Taktsignals zu übertragen.

Learn Moreüber Micron DDR-SDRAM View Productsverwandt mit Micron DDR-SDRAM

Micron DDR2-SDRAM

Eine hervorragende Speicherwahl für die unterschiedlichen Bedürfnisse von vielen Applikationen.

Learn Moreüber Micron DDR2-SDRAM View Productsverwandt mit Micron DDR2-SDRAM

Micron DDR3-SDRAM

Ideal für Rechensysteme und Embedded-Systeme für Desktops, Notebooks, Server und Netzwerke.

Learn Moreüber Micron DDR3-SDRAM View Productsverwandt mit Micron DDR3-SDRAM

Micron SDRAM

Kostengünstige zuverlässige Plug-In-and-Go-Lösungen für eine solide langfristige Lösung.

Learn Moreüber Micron SDRAM View Productsverwandt mit Micron SDRAM
Veröffentlichungsdatum: 2018-07-24 | Aktualisiert: 2023-03-03