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Teil von VE-Trac™ hochintegrierte B2-SiC-Leistungsmodule für EV/HEV-Traktionswechselrichter-Applikationen.

Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet.

Matrixsensoren für die 3D-Bildgebung schnell bewegter Objekte.

Advanced analog and mixed-signal platform built on 65nm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) technology.

Hochleistungs-XOR-Gates, die mit 1,65 V bis 5,5 V in einem großen Temperaturbereich von -55°C bis +125°C betrieben werden.

Hochleistungs-Dual-OR-Logic-Gates mit 2 Eingängen, die mit 1,65 V bis 5,5 V betrieben werden.

MiniGate™ nicht-invertierende Hochleistungs-Dual-Buffer, die mit 1,65 V bis 5,5 V betrieben werden.

Rückseitig beleuchteter gestapelter 1/4,2-Zoll-CMOS-Digital-Bildsensoren mit einem Active-Pixel-Array von 2.592 x 1.944.

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