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IXYS IXYx110N120A4 1.200-V-XPT™-GenX4™-Trench-IGBTs

IXYS IXYx110N120A4 1.200-V-XPT™-GenX4™-Trench-IGBTs sind IGBTs mit hoher Gain, die für extrem niedrige Leitungsverluste VCE(sat) und für Schaltfrequenzen von bis zu 5 kHz optimiert sind. Eine dünne Wafertechnologie und verbesserte Prozesse ermöglichen einen niedrigen Gate-Ladung Qg und damit einen niedrigen Gate-Strombedarf. Eine hohe Gain erhöht die Stromstoßfähigkeit und der positive Wärmekoeffizient von VCE(sat) vereinfacht die Parallelschaltung. Der niedrige thermischer Widerstand von Rth(j-c) erleichtert thermisch bedingte Designprobleme.

Die IXYx110N120A4 1.200 V-IGBTs von IXYS sind in den TO-264-, PLUS247-, und SOT-227B(miniBLOC)-Gehäusen erhältlich. Der IXYx110N120A4 ist ideal für Applikationen wie Einschaltstrom-Schutzschaltungen, Lampenvorschaltgeräte, Solarwechselrichter und viele mehr.

Merkmale

  • Optimiert für niedrige Leitungsverluste VCE(sat)
  • Hohe Gain und Stromstoßfähigkeit
  • Niedriger thermischer Widerstand Rth(j-c)
  • Positiver Wärmekoeffizient von VCE(sat)
  • Internationale Standardgehäuse

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • USV
  • Motorantriebe
  • Schweißgeräte
  • Lampen-Vorschaltgeräte
  • Einschaltstrom-Schutzschaltungen

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Teilnummer Datenblatt Verpackung/Gehäuse Montageart Pd - Verlustleistung
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Veröffentlichungsdatum: 2020-12-31 | Aktualisiert: 2024-05-30