HF-Transistoren

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorart
Technologie
Betriebsfrequenz
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verstärkung
Qualifikation
Verpackung
Mini-Circuits MOSFET HF-Transistoren MMIC AMPLIFIER
Datenblatt
Vorlaufzeit 19 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MCLP-4 GaAs 45 MHz to 6 GHz 20.7 dBm - 40 C + 85 C 18.6 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 25
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz T3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 100 MHz 400 W - 55 C + 175 C 16 dB
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOE-4 Si 175 MHz 300 W - 65 C + 150 C 16 dB
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
Datenblatt
Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 8 W - 65 C + 150 C 11.5 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 3 W - 65 C + 150 C 17 dB Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 15 W - 65 C + 150 C 14 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Power Trans N-Channel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Si 500 MHz 25 W + 165 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 18 W - 65 C + 150 C 16.5 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 14 dB Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Si 1 GHz 60 W - 65 C + 150 C 14.3 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. N-Ch Trans
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Tube
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F. N-Ch Trans
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Si 1 GHz 35 W - 65 C + 150 C 14.9 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 860 MHz 200 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B2-3 Si 1.47 GHz 180 W + 200 C 17.5 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 15 W + 200 C 19 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 2.7 GHz 25 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 160
Mult.: 160
: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 3.6 GHz 40 W + 200 C 14 dB Reel