Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor
10.19.2026
Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.
Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A
Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A
10.14.2026
HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.
Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L
Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L
10.06.2026
HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L
10.06.2026
220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB
10.05.2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L
Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L
10.05.2026
Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB
10.05.2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
10.02.2026
Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.
Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG
Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG
10.01.2026
Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.
Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP
Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP
09.22.2026
Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.
IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2
IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2
09.22.2026
Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.
onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X
09.17.2026
MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.
Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive
Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive
09.16.2026
Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.
STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2
STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2
09.15.2026
Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09.14.2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021
onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021
09.14.2026
Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A
09.10.2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB
09.10.2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC
Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC
09.10.2026
Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB
09.10.2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A
09.10.2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325
Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325
09.09.2026
Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
09.02.2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
09.02.2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
09.02.2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
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