Ultime novità per Semiconduttori discreti

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = IXYS Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07.20.2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07.20.2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02.02.2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP

01.20.2026

- Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.

IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class

10.08.2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

09.19.2025

- Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].

IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V

08.27.2025

- Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.

IXYS Raddrizzatori per il settore automobilistico in silicio serie Dx

04.14.2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodi SCHOTTKY SiC DCK

04.03.2025

- Presentano un funzionamento ad alta frequenza e un'elevata capacità di corrente di sovraccarico.

IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB

03.25.2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET di potenza IXFP34N65X2W

03.17.2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03.06.2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7

03.06.2025

- MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.

IXYS MOSFET di potenza IXFH34N65X2W

02.27.2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET di potenza IXFH46N65X2W

02.27.2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02.18.2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02.18.2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11.28.2024

- Offrono una tensione nominale di 200 V, un intervallo di corrente da 340 A a 500 A e un package SOT-227B.

IXYS Due diodi a recupero rapido da 50 A, 1.200 V DPF100C1200HB

11.22.2024

- Due diodi di commutazione di potenza per uso generale in configurazione a catodo comune e un pacchetto TO-247.

IXYS IGBT XPT Gen5

07.25.2024

- Offre una tensione nominale di 650 V, un intervallo di corrente da 35 A a 220 A e una carica di gate bassa.

IXYS Raddrizzatore a ponte trifase DPF30U200FC 200 V 30 A

07.22.2024

- Questo dispositivo è comunemente utilizzato come raddrizzatore negli alimentatori a commutazione (SMPS).

IXYS Diodo a recupero rapido DSEP60-06AZ 600 V 60 A

07.08.2024

- Un diodo singolo ad alte prestazioni, a bassa perdita e a recupero progressivo in un package TO-268AA (D3PAK-HV).

IXYS SCR Sensibile SRU6008DS2RP

02.19.2024

- Un SCR con blocco anteriore ad alta tensione 600 V, ideale per applicazioni di scarica di condensatori ad alta tensione.

IXYS Moduli tiristori MCMA140P1600TA-NI

01.18.2024

- Dispone di chip passivati planari e ceramici AI2O3 con collegamento diretto in rame per la frequenza di linea.

IXYS Moduli FRED 95-06DA MPA

01.18.2024

- Dispone di chip passivati planari e bassa perdita di commutazione per dispositivi di commutazione ad alta frequenza.

Visualizzazione: 1 - 25 di 28

Filtra per:

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08.04.2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

07.30.2026

- Features low RDS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

07.30.2026

- Designed to replace a single device and its external resistor bias network.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07.20.2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07.20.2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07.08.2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2

07.07.2026

- Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06.30.2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q

06.26.2026

- Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA

06.26.2026

- Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.

Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06.25.2026

- Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06.22.2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06.19.2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05.27.2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05.18.2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Bourns Diodo TVS a montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q

05.12.2026

- Fornisce protezione per le porte dati in conformità con le norme IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 e IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™

05.06.2026

- I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.

Littelfuse Diodi TVS AK-FL

05.04.2026

- Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05.04.2026

- Capacità di potenza di picco del Pulse di 5000 W che utilizza una forma d'onda da 10/1000µs e dissipazione di potenza di 6,5 W.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05.04.2026

- Progettati specificamente per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transienti di tensione.

Littelfuse SJx08x SCR ad alta temperatura

04.24.2026

- Tensione fino a 800 V, capacità di corrente di picco fino a 100 A e temperatura nominale di +150 °C.

Visualizzazione: 1 - 25 di 1071

Tipi di Semiconduttori discreti

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza