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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter
08.20.2026
08.20.2026
Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.
ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità
04.10.2026
04.10.2026
I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati
03.17.2026
03.17.2026
Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.
ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale TLR2728YFJ-C
12.11.2025
12.11.2025
ingresso/uscita Rail-to-rail e doppio amplificatore operazionale CMOS ad alta velocità .
ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L'amplificatore operativo presenta un basso livello di rumore, un basso voltaggio di offset di ingresso e una bassa corrente di polarizzazione di ingresso.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT
11.18.2025
11.18.2025
Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA
11.18.2025
11.18.2025
Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.
ROHM Semiconductor Convertitore A/D BD79124MUF-C
11.18.2025
11.18.2025
Convertitore A/D a successiva approssimazione generale, a 12 bit e 8 canali.
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM
11.18.2025
11.18.2025
Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.
ROHM Semiconductor Circuiti integrati con convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P10xJ-Z
11.03.2025
11.03.2025
È dotato di un MOSFET di commutazione 730 V integrato e funziona direttamente dalla rete elettrica CA ad alta tensione.
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10.17.2025
10.17.2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.
ROHM Semiconductor Circuiti integrati convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Progettato per applicazioni di alimentazione CA-CC isolate compatte ed efficienti.
ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Progettato per valutare e dimostrare le capacità dell'IC dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.
ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.
ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.
Visualizzazione: 1 - 25 di 218
Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)
08.25.2026
08.25.2026
These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.
Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.
NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluation Board
08.25.2026
08.25.2026
Socketed FS04 evaluation board with FRDM-KL25Z bridge and OTP programming support.
Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
Multimedia development board for smart audio and HMI applications.
NXP Semiconductors FRDM-A-S32K358 Development Board
08.25.2026
08.25.2026
For general-purpose industrial and automotive applications built around the S32K358 MCU.
NXP Semiconductors KITFS0400A0EVM Evaluation Board
08.25.2026
08.25.2026
Soldered FS04 evaluation board with PF53 PMICs, FRDM-KL25Z bridge, and NXP GUI support.
Texas Instruments ISOTMP35R/-Q1 Analog Temperature Sensors
08.24.2026
08.24.2026
Reinforced isolated analog temperature sensors with fast thermal response.
Toshiba DCL32xx00 Low Power Dual Channel Digital Isolators
08.24.2026
08.24.2026
These devices comply with UL 1577 and have a 3000Vrms withstand-isolation-voltage rating.
Toshiba TCKE1401NM 75V 6A eFuse IC
08.24.2026
08.24.2026
A high-input voltage single-input single-output eFuse IC that can be used as a reusable fuse.
Renesas Electronics PTX205R NFC Controller
08.20.2026
08.20.2026
Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.
Infineon Technologies Sensori di angolo magnetico XENSIV™ TLE49012 / TLI49012
08.20.2026
08.20.2026
Sensori angolari digitali ad alta precisione con latenza ultra-bassa e capacità di misurazione sia sull'asse che fuori asse.
ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter
08.20.2026
08.20.2026
Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.
Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs
08.19.2026
08.19.2026
Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.
Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit
08.19.2026
08.19.2026
35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.
STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch
08.19.2026
08.19.2026
Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM
08.19.2026
08.19.2026
This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.
Vishay Driver MOSFET isolato otticamente VOM1272
08.18.2026
08.18.2026
Driver MOSFET fotovoltaico autonomo con spegnimento rapido e capacità di isolamento potenziato.
M5Stack Capsule v1.1
08.17.2026
08.17.2026
Iterative upgrade of capsule, with the core upgrade being the replacement of the main controller.
Diotec Semiconductor LDI1117-3.3H-AQ Low-Dropout Voltage Regulator
08.17.2026
08.17.2026
Operates at a low dropout voltage of 1.2V at 1A output current and a fixed voltage of 3.3V.
Nordic Semiconductor nRF93M1 Development Kit (DK)
08.17.2026
08.17.2026
Provides a fast way to evaluate and build on the nRF93M1 module.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
M5Stack AddOn Display Out Module for PoE-P4
08.17.2026
08.17.2026
Display output expansion module designed for Unit PoE-P4, based on the LT8912B chip.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
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