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Produttore
= Wolfspeed
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Wolfspeed MOSFET in carburo di silicio da 1.700 V
04.17.2025
04.17.2025
Offre una maggiore commutazione, efficienza di sistema e densità di potenza per la conversione di potenza di nuova generazione.
Wolfspeed MOSFET di potenza SiC 1.200 V a basso profilo TO-247-4
07.03.2024
07.03.2024
Offrono alta efficienza di sistema, riducono le perdite di commutazione e riducono al minimo il gate ringing.
Wolfspeed MOSFET discreti al carburo di silicio da 750 V
05.27.2024
05.27.2024
Consente un’alta densità di potenza del sistema con un design a basso profilo in integrati standard del settore.
Wolfspeed MOSFET SiC C3M™ in Package TOLL
10.18.2022
10.18.2022
Offre una dipendenza dalla temperatura della resistenza in stato attivo molto più bassa rispetto ai MOSFET al silicio standard.
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Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V
06.19.2026
06.19.2026
Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 750 V automotive
12.19.2025
12.19.2025
Progettati per soddisfare le rigide esigenze delle applicazioni per veicoli elettrici (EV).
onsemi MOSFET EliteSiC NxT2023N065M3S
12.04.2025
12.04.2025
Presentano una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate estremamente bassa.
Central Semiconductor MOSFET al carburo di silicio (SiC) a canale N 1700V
11.20.2025
11.20.2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V
10.17.2025
10.17.2025
I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V
10.09.2025
10.09.2025
Offrono prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità.
Microchip Technology MOSFET SIC di 1.200 V
09.25.2025
09.25.2025
I MOSFET offrono un'alta efficienza in una soluzione più leggera e compatta con velocità di commutazione elevata.
IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx
09.19.2025
09.19.2025
Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].
IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.
onsemi NXVF6532M3TG01 MOSFET di potenza H-Bridge EliteSiC 650 V
08.08.2025
08.08.2025
Offre un'efficienza superiore, commutazione rapida e prestazioni termiche robuste.
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza SiC canale N SCT40xKWA
07.14.2025
07.14.2025
Caratteristiche: 1200 V VDS, bassa resistenza allo stato attivo, elevata velocità di commutazione e tempi di recupero rapidi.
Littelfuse MOSFET di potenza SiC IXSJxN120R1 da 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Dispositivi ad alte prestazioni progettati per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
Infineon Technologies MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2
06.03.2025
06.03.2025
MOSFET qualificati per l'uso in ambito automobilistico e industriale con una resistenza massima drain-source di 78mΩ.
onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVBG050N170M1
05.22.2025
05.22.2025
Presenta un RDS(ON) massimo di 76 mΩ @ 20 V e una tensione di 1.700 V tra drain e source.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed MOSFET in carburo di silicio da 1.700 V
04.17.2025
04.17.2025
Offre una maggiore commutazione, efficienza di sistema e densità di potenza per la conversione di potenza di nuova generazione.
IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7
03.06.2025
03.06.2025
MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7
03.06.2025
03.06.2025
Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVH4L050N170M1
02.20.2025
02.20.2025
Offrono prestazioni eccezionali con una RDS(on) tipica di 53 mΩ a VGS = 20 V.
onsemi MOSFET al carburo di silicio (SiC) NTBL032N065M3S
02.20.2025
02.20.2025
Progettato per applicazioni a commutazione rapida offre prestazioni affidabile.
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV
02.18.2025
02.18.2025
1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV
02.18.2025
02.18.2025
1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.
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