Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Nexperia Raddrizzatori di recupero DPAK da 400 V/650 V

08.12.2026

- Raddrizzatori di recupero DPAK iperveloci e ultraveloci per la conversione di potenza ad alta tensione.

Nexperia MOSFET N-Channel BUK7Q nel package MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilizza la tecnologia Trench 9, soddisfa i requisiti AEC-Q101.

Nexperia MOSFET BUK9Q Trench canale N

09.09.2025

- Compatibile a livello logico, commutazione rapida e completamente qualificata per il settore automobilistico secondo la norma AEC-Q101 a 175°C.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08.27.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08.27.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia Transistori bipolari a giunzione (BJT) MJPEx

08.26.2025

- Il package CFP15B offre un'alternativa compatta ed economica alla serie MJD nel package DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08.19.2025

- FET a canale P da 30 V in un package in plastica SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08.19.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08.19.2025

- FET a canale P in un package plastico SMD MLPAK33 (SOT8002-3) che utilizza la tecnologia trench MOSFET.

Nexperia GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMT

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ o 12 mΩ, transistor ad alta mobilità elettronica bidirezionali in nitruro di gallio (GaN) (HEMT).

Nexperia I FET GaN GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 da 100 V

07.03.2025

- Sono dispositivi e-mode normalmente spenti che offrono prestazioni superiori e una resistenza in stato attivo molto bassa.

Nexperia Diodi SCHOTTKY in carburo di silicio (SiC) PSC20120x

06.02.2025

- Progettati per applicazioni di conversione di potenza ad altissime prestazioni, a bassa perdita ed alta efficienza.

Nexperia Raddrizzatore ES3D Hyperfast Recovery

05.07.2025

- Raddrizzatore da 200 V, 3 A con elevata capacità di sovratensione in avanti, racchiuso in un package SOD1003-1 SMC.

Nexperia Raddrizzatore ES1D Hyperfast Recovery

05.07.2025

- Raddrizzatore da 200 V, 1 A con elevata capacità di sovratensione diretta, racchiuso in un package SMA SOD1001-1.

Nexperia Raddrizzatore ES2D a recupero iperveloce

05.07.2025

- Raddrizzatore da 200 V, 2 A con elevata capacità di sovratensione diretta, racchiuso in un package SOD1002-1 SMB.

Nexperia Raddrizzatore ES1B Hyperfast Recovery

05.02.2025

- Raddrizzatore da 100 V, 1 A con elevata capacità di sovratensione diretta, racchiuso in un package SOD1001-1 SMA.

Nexperia Raddrizzatore ES1J Hyperfast Recovery

05.02.2025

- Raddrizzatore da 600 V, 1 A con elevata capacità di sovratensione diretta, racchiuso in un package SMA SOD1001-1.

Nexperia Raddrizzatore di recupero GS10M

04.28.2025

- Raddrizzatore 1.000 V, 10 A con elevata capacità di sovratensione in avanti, racchiuso in un package SOD1003-1 SMC.

Nexperia Raddrizzatore a recupero rapido FR2JA

04.28.2025

- Raddrizzatore da 600 V, 2 A con elevata capacità di sovratensione diretta, racchiuso in un package SOD1001-1 SMA.

Nexperia Raddrizzatore US1M a recupero ultraveloce

04.28.2025

- Raddrizzatore da 1.000 V, 1 A con elevata capacità di sovratensione in avanti, racchiuso in un package SOD1001-1 SMA.

Nexperia Raddrizzatore di recupero GS1M

04.28.2025

- Raddrizzatore da 1.000 V, 1 A con elevata capacità di sovratensione, racchiuso in un package SOD1001-1 SMA.

Nexperia Raddrizzatore di recupero GS5MB

04.28.2025

- Raddrizzatore da 1.000 V, 5 A con elevata capacità di sovratensione in avanti, racchiuso in un package SMB SOD1002-1.

Nexperia Raddrizzatore rapido FR2M

04.28.2025

- Raddrizzatore da 1.000 V, 2 A con elevata capacità di sovratensione in avanti, racchiuso in un package SOD1002-1 SMB.

Nexperia Raddrizzatore US1J a recupero ultraveloce

04.28.2025

- Raddrizzatore da 600 V, 1 A con elevata capacità di sovratensione diretta, racchiuso in un package SMA SOD1001-1.

Nexperia Raddrizzatore di recupero GS8M

04.28.2025

- Raddrizzatore da 1.000 V, 8 A con elevata capacità di sovratensione, racchiuso in un package SOD1003-1 SMC.

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Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10.19.2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10.14.2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10.06.2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10.06.2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10.05.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10.05.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10.05.2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10.02.2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10.01.2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09.22.2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09.22.2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09.17.2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09.16.2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09.15.2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09.14.2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09.10.2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09.10.2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09.09.2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09.02.2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

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