Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Types de Semiconducteurs discrets

Liste Images

Filtres appliqués:

Fabricant = Nexperia Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.

Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V

08.12.2026

- Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.

Nexperia MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

09.29.2025

- Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

Nexperia MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

09.09.2025

- Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

Nexperia MOSFET BUK6Q66-60PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

08.27.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

Nexperia Carte Transistors à jonction bipolaire MJPEx (BJT))

08.26.2025

- Le boîtier CFP15B offre une alternative compacte et économique à la série MJD dans le boîtier DPAK.

Nexperia MOSFET BUK6Q12-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q21-30PJ

08.19.2025

- FET à canal P 30 V dans un boîtier CMS en plastique MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie de MOSFET à tranchée.

Nexperia MOSFET BUK6Q26-40PJ

08.19.2025

- FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

Nexperia FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

07.03.2025

- Dispositifs normalement hors tension qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Nexperia HEMT GaN GANB1R2-040QBA et GANB012-040CBA

07.03.2025

- HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) en nitrure de gallium (GaN) bidirectionnels, 40 V, 1,2 mΩ ou 12 mΩ.

Nexperia Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) PSC20120x

06.02.2025

- Conçues pour des applications de conversion d'énergie à ultra-haute performance, à faible perte et à haute efficacité.

Nexperia Redresseur à récupération hyperrapide ES2D

05.07.2025

- Redresseur de 200 V, 2 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SOD1002-1 SMB.

Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1D

05.07.2025

- Redresseur de 200 V, 1 A avec une forte capacité de surtension, encapsulé dans un boîtier SOD1001-1 SMA.

Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES3D

05.07.2025

- Redresseur 200 V, 3 A avec une haute capacité de surtension directe, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.

Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1J

05.02.2025

- Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.

Nexperia Redresseur à récupération hyper-rapide ES1B

05.02.2025

- Redresseur 100 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.

Nexperia Redresseur de récupération rapide FR2JA

04.28.2025

- Redresseur de 600 V, 2 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.

Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide US1M

04.28.2025

- Redresseur de 1 000 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.

Nexperia Redresseur de récupération GS5MB

04.28.2025

- Redresseur 1 000 V, 5 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMB SOD1002-1.

Nexperia Redresseur de récupération GS1M

04.28.2025

- Redresseur 1 000 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.

Nexperia Redresseur de récupération ultra-rapide MURS160B

04.28.2025

- Redresseur 600 V, 1 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SOD1002-1 SMB.

Nexperia Redresseur de récupération GS8M

04.28.2025

- Redresseur 1 000 V, 8 A avec une capacité de surtension élevée, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.

Nexperia Redresseur à récupération ultra-rapide US1J

04.28.2025

- Redresseur de 600 V, 1 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMA SOD1001-1.

Nexperia Redresseur de récupération GS10M

04.28.2025

- Redresseur de 1 000 V, 10 A avec une capacité de surtension directe élevée, encapsulé dans un boîtier SMC SOD1003-1.

Consulter : 1 - 25 sur 76

Filtrer par :

Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10.19.2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10.14.2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10.06.2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10.06.2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10.05.2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10.05.2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10.05.2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10.02.2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10.01.2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09.22.2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09.22.2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09.17.2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09.16.2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09.15.2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09.14.2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09.10.2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09.10.2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09.10.2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09.10.2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09.10.2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09.09.2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09.02.2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09.02.2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09.02.2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

Consulter : 1 - 25 sur 1053

Types de Semiconducteurs discrets

Filtres appliqués:

Filtrer par :

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance