Filtres appliqués:
Fabricant
= ROHM Semiconductor
Retournez à l''onglet Produit pour modifier vos filtres actuels.
ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V
07.21.2026
07.21.2026
Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.
ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC
04.10.2026
04.10.2026
Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.
ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés
03.17.2026
03.17.2026
Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel TLR2728YFJ-C
12.11.2025
12.11.2025
Amplificateur opérationnel double CMOS à entrée/sortie rail à rail et à haute vitesse .
ROHM Semiconductor Amplificateur opérationnel LMRx802-LB
11.24.2025
11.24.2025
L’ampli op présente un faible niveau de bruit, une tension de décalage d’entrée faible et un faible courant de polarisation d’entrée.
ROHM Semiconductor Convertisseur A/N BD79124MUF-C
11.18.2025
11.18.2025
Convertisseur A/N à approximation successive polyvalent, 12 bits et 8 canaux.
ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM
11.18.2025
11.18.2025
Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT
11.18.2025
11.18.2025
Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.
ROHM Semiconductor Convertisseurs à circuits intégrés BM2P10xJ-ZCC/CC de type PWM
11.03.2025
11.03.2025
Ils comportent un MOSFET intégré de commutation de 730 V et fonctionnent directement sur secteur CA haute tension.
ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V
10.17.2025
10.17.2025
Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x
10.16.2025
10.16.2025
MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.
ROHM Semiconductor CI convertisseurs CC/CC de type MLI BM2P06xJ-Z
09.26.2025
09.26.2025
Conçu pour les applications d'alimentation CA-CC isolée compactes et efficaces.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G115MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT BM3G115MUV.
ROHM Semiconductor Carte d'évaluation BM3G107MUV-EVK-003
08.27.2025
08.27.2025
Conçue pour évaluer et démontrer les capacités du CI à étage de puissance HEMT au GaN BM3G107MUV.
ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH
08.21.2025
08.21.2025
Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT
08.21.2025
08.21.2025
Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.
ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S
08.21.2025
08.21.2025
Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG
08.21.2025
08.21.2025
MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.
ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM
08.20.2025
08.20.2025
Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.
ROHM Semiconductor EEPROM SPI BUS BR25G-5
08.19.2025
08.19.2025
Ces dispositifs sont des EEPROM en série 16 kbit avec une interface SPI BUS et 4 millions de cycles d'écriture.
ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03
08.19.2025
08.19.2025
MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.
Consulter : 1 - 25 sur 218
Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
08.06.2026
08.06.2026
32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.
Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
08.06.2026
08.06.2026
Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.
Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
08.06.2026
08.06.2026
Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.
Analog Devices Inc. Commutateur côté haut octal industriel MAX22915
08.04.2026
08.04.2026
CAN 7 bits intégré pour surveiller la température de la puce, le courant de sortie par canal ou la tension d'alimentation VDD.
Würth Elektronik Optocoupleurs à haute vitesse WL-OCHS
08.04.2026
08.04.2026
Ils offrent une vitesse de transmission très élevée, fonctionnant dans la plage des MHz aux Mbit/s.
Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
08.04.2026
08.04.2026
Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
08.04.2026
08.04.2026
A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
Texas Instruments Module d'évaluation TPS25752A
08.04.2026
08.04.2026
Prend en charge les applications USB Type-C® et Power Delivery (PD) à port unique en mode source uniquement.
Analog Devices Inc. Carte d'évaluation MAX22215
08.04.2026
08.04.2026
Conçue pour évaluer le MAX22215 en combinaison avec le système de carte d'évaluation TRINAMIC.
Analog Devices Inc. Kit d'évaluation MAX22915EVKIT
08.04.2026
08.04.2026
Une conception éprouvée pour évaluer le MAX22915, un commutateur à 8 canaux doté d'un diagnostic avancé.
Texas Instruments Module d'évaluation ISO7741U
08.04.2026
08.04.2026
Module d'évaluation quatre canaux à isolation galvanique en boîtier SSOP ultra-large (DUW-16).
NXP Semiconductors Carte de développement FRDM i.MX 95 Pro
08.04.2026
08.04.2026
Évalue le processeur d'applications i.MX 95 dans un boîtier compact de 19 mm x 19 mm.
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08.04.2026
08.04.2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
08.03.2026
08.03.2026
Constructed using FR-4 material and PCB measures 25.4mm x 7.62mm x 1.6mm.
Texas Instruments Module d'évaluation BQ25640EVM
08.03.2026
08.03.2026
Système d’évaluation complet pour le circuit intégré BQ25640, un chargeur de batterie mono-cellule abaisseur.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965C-L/EVL99BM2C-L
07.30.2026
07.30.2026
Cartes promotionnelles pour le L9965C-L/L99BM2C-L pour surveiller le courant, la charge et l’isolation.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965T/EVL99BM2T
07.30.2026
07.30.2026
Ces cartes promotionnelles intègrent l’émetteur-récepteur BMS L9965T ou L99BM2T dans un système BMS.
onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
07.30.2026
07.30.2026
Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.
Infineon Technologies Carte d'évaluation DEMO_HV_PACKAGE
07.30.2026
07.30.2026
Explorez les boîtiers haute tension avec CoolSiC™ et CoolMOS™ pour des performances d'alimentation efficaces et fiables.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965P-N/EVL99BM2P-FN
07.30.2026
07.30.2026
Elles fournissent à l’utilisateur une plateforme pour évaluer les dispositifs L9965P/L99BM2P dans un boîtier QFN.
onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L
07.30.2026
07.30.2026
Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.
STMicroelectronics Cartes promotionnelles EVL9965A/EVL99BM218
07.30.2026
07.30.2026
Cartes promotionnelles pour les dispositifs L9965A/L99BM218 dans les systèmes de gestion de batterie.
NXP Semiconductors Émetteurs-récepteurs CAN doubles à haute vitesse TJA1046
07.30.2026
07.30.2026
Émetteurs-récepteurs CAN doubles à haute vitesse avec mode veille et prise en charge du CAN FD.
Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
07.29.2026
07.29.2026
Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
STMicroelectronics Pilote de moteur CC à demi-pont AEK-MOT-8DCMH98
07.28.2026
07.28.2026
Conçu pour piloter huit canaux configurables en mode demi-pont ou quatre canaux en mode pont complet.
Consulter : 1 - 25 sur 8245
