Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07.21.2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

ROHM Semiconductor Modules de puissance de haute densité au SiC

04.10.2026

- Les boîtiers TRCDRIVE pack™, DOT-247 et HSDIP20 contribuent à une conversion performante de puissance.

ROHM Semiconductor Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

03.17.2026

- Présente une tension nominale de 1 200 V en boîtier de 41,6 × 52,5 mm et intègre des MOSFET au SiC de 4e génération.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RH7G03BBJFRA

11.18.2025

- Ce MOSFET possède une tension VDSS nominale de -40 V et une tension ID nominale (VDS = -10 V) de ±22 A.

ROHM Semiconductor Diode à broche RN789FM

11.18.2025

- Petit boîtier moulé, adapté à un circuit de contrôle automatique du gain et à un amplificateur/atténuateur d’antenne.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P RJ1P10BAT

11.18.2025

- Ce MOSFET a une tension VDSSnominale de -100 V et une tension ID nominale (VDS = 10 V) de ±105 A.

ROHM Semiconductor MOSFET SiC à canal N de 750 V

10.17.2025

- Les dispositifs augmentent la fréquence de commutation, réduisant ainsi les condensateurs, les réacteurs et les autres composants requis.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance automobile RD3x

10.16.2025

- MOSFET AEC-Q101 avec tension directe faible, temps de récupération rapide et capacité de surtension élevée.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance RJ1x10BBG

08.21.2025

- MOSFET de puissance à canal N avec faible résistance à l'état passant et boîtier haute puissance.

ROHM Semiconductor Diodes PIN de qualité automobile RNxMFH

08.21.2025

- Diodes de qualité automobile avec un boîtier surmoulé ultra-compact adapté à la commutation à haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance SiC canal N 1 700 V SCT2H12NWB

08.21.2025

- MOSFET SiC avec une tension de source de drain (VDSS) de 1 700 V et un courant de drain continu (ID) de 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET à canal P RQxAT

08.21.2025

- Comprennent un boîtier monté en surface avec une faible résistance à l'état passant et sont testés à 100 % Rg et UIS.

ROHM Semiconductor Diode à récupération ultra-rapide RF202LB2S

08.21.2025

- Une diode à récupération ultra-rapide de type planaire épitaxiale en silicium, caractérisée par un faible VF et de faibles pertes de commutation.

ROHM Semiconductor Diode PIN RN242SM

08.20.2025

- Présente une faible capacité et un boîtier moulé ultra-compact, adapté à la commutation haute fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal N RH7L04 60 V

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101, classés pour 60 V VDSS et ±40 A ID.

ROHM Semiconductor Diodes Zener JMZV8.2B de 5 mA

08.19.2025

- Les dispositifs sont livrés dans un boîtier PMDE (petit moule d’alimentation) adapté aux applications de régulation de tension.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance 60 V à canal N RH7L03

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension VDSS de 60 V et un courant ID continu de ±35 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N RH7P04BBKFRA 100 V

08.19.2025

- MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension VDSS de 100 V et un courant ID de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RQ3G120BKFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension de source de 40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±12 A, certifié AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal P -30 V RH7E04BBJFRA

08.19.2025

- MOSFET de qualité automobile avec une tension drain-source (VDSS) de -30 V et un courant drain (ID) de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P -60 V RH7L04CBJFRA

08.19.2025

- Un MOSFET de qualité automobile avec une VDSS de -60 V et une ID de ±36 A, homologué AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance de canal N 40 V RH7G04

08.19.2025

- Ces dispositifs sont des MOSFET de qualité automobile certifiés AEC-Q101, avec une tension de crête VDSS de 40 V et un courant de décharge IDde ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

08.19.2025

- Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (VDSS) et un courant de drain continu (ID) de ±4,0 A.

ROHM Semiconductor Transistor de puissance PNP 1,5 A, 160 V 2SAR579D3

08.06.2025

- Un transistor de puissance avec une faible VCE(sat) et qui convient comme amplificateur basse fréquence.

ROHM Semiconductor MOSFET de puissance à canal P, -40 V -40 A, AG508EGD3

08.06.2025

- Ce MOSFET est un MOSFET de puissance de qualité automobile qui est homologué AEC-Q101.

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STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

08.10.2026

- Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

08.10.2026

- Designed for high-efficiency and high-power switching applications.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08.04.2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07.30.2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07.30.2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07.21.2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07.20.2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07.20.2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07.08.2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07.07.2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06.30.2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06.26.2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA

06.26.2026

- Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.

Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06.25.2026

- Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06.22.2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

Vishay MOSFET à canal N 750 V MaxSiC ® MXP075

06.19.2026

- Présente une tension drain-source de 750 V, une vitesse de commutation rapide et un temps de tenue aux courts-circuits de 3 μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06.18.2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Modules EasyPACK™ S

06.12.2026

- Conversion d'énergie efficace dans un boîtier compact et facile à intégrer, conçu pour les conceptions d'alimentation modernes.

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 de 100 V pour l'automobile

05.27.2026

- Dispositifs à canal N de pointe, conçus pour la commutation de puissance à haut rendement.

Texas Instruments MOSFET 6 V 2N7002L à canal N

05.18.2026

- Conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en conservant des performances de commutation rapides.

Bourns Diode TVS à montage en surface CDSOT23-SM712-Q

05.12.2026

- Fournit une protection pour les ports de données conformément aux normes IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 et IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Modules d'alimentation CIPOS™ Prime automobiles CoolSiC™

05.06.2026

- Les modules d'alimentation sont conçus pour une haute performance dans les applications xEV .

Littelfuse Diodes TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05.04.2026

- Puissance d'impulsion de crête de 5000 W avec une forme d'onde de 10/1000 µs et dissipation de puissance de 6,5 W.

Littelfuse Diodes TVS AK-FL

05.04.2026

- Diodes TVS bidirectionnelles FlatSuppressX™ à tension de serrage faible et stable, avec pattes axiales.

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