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Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
05.18.2026
Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.
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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V
07.21.2026
Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.
Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V
05.27.2026
Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N
05.18.2026
Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X
04.14.2026
Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E
04.06.2026
MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.
Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P
Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P
03.31.2026
Ideali per commutazione ad alta velocità, interruttori di gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver per motori.    
STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG
STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG
03.31.2026
Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V
03.27.2026
Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V
03.27.2026
Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza. 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8
03.17.2026
Si tratta di MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS(ON)].
onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL
onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL
03.13.2026
Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03.06.2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V
03.05.2026
Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02.19.2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
IXYS MOSFET di potenza X4-Class
IXYS MOSFET di potenza X4-Class
02.02.2026
Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X
12.26.2025
Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V
12.23.2025
Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
12.19.2025
Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8
11.25.2025
Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.
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