RLDRAM2 DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
Datenblatt
15Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 533 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 104
Mult.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Reel