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MOSFETs SiC MOSFET

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Résultats: 161

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Produit = MOSFETs

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Package/Boîte

Nombre de canaux

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 24.35 CHF 1 139En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R014M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R014M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	1 139En stock	24.35 CHF 16.36 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	127 A	14 mOhms	- 10 V, + 23 V	4.2 V	110 nC	- 55 C	+ 150 C	455 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial C3M0075120K-A Wolfspeed 1: 7.04 CHF 670En stock	Fab. Numéro de référence C3M0075120K-A Référence Mouser 941-C3M0075120K-A	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Fiche technique	670En stock	7.04 CHF 4.11 CHF 3.78 CHF 3.58 CHF 3.29 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	32 A	90 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	53 nC	- 40 C	+ 175 C	136 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial C3M0040120J1 Wolfspeed 1: 10.45 CHF 661En stock	Fab. Numéro de référence C3M0040120J1 Référence Mouser 941-C3M0040120J1	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed c3m 1200vsic mosfets	Fiche technique	661En stock	10.45 CHF 5.92 CHF 5.87 CHF 5.84 CHF 5.46 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	SMD/SMT		1 Channel	1.2 kV	64 A	53.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	94 nC	- 40 C	+ 150 C	272 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5.02 CHF 1 000En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R163M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1 000En stock	Bande coupée 5.02 CHF 2.65 CHF 1.96 CHF 1.95 CHF Bobine 1.95 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 14.67 CHF 143En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R022M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	143En stock	Bande coupée 14.67 CHF 9.06 CHF 8.81 CHF Bobine 8.57 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7.56 CHF 1 995En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R057M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1 995En stock	Bande coupée 7.56 CHF 4.40 CHF 4.06 CHF 3.81 CHF Bobine 3.62 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC CDMS24740-170 SL PBFREE Central Semiconductor 1: 31.83 CHF 17En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence CDMS24740-170 SL PBFREE Référence Mouser 610-CDMS24740-170SL Nouveau produit	Central Semiconductor	SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC En savoir plus sur Central Semiconductor central semi 1700v n channel sic mosfets	Fiche technique	17En stock	31.83 CHF 26.05 CHF 23.02 CHF Afficher Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	26 A	40 mOhms	20 V	2.4 V		- 55 C	+ 175 C	28 W	Depletion
SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor 1: 49.92 CHF 1 614En stock	Fab. Numéro de référence G3R12MT12K Référence Mouser 905-G3R12MT12K	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET En savoir plus sur GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Fiche technique	1 614En stock	49.92 CHF 46.53 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	111 A	12 mOhms	- 10 V, + 22 V	2.7 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	567 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial C3M0045065J1 Wolfspeed 1: 8.61 CHF 601En stock	Fab. Numéro de référence C3M0045065J1 Référence Mouser 941-C3M0045065J1	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed 650v sic mosfets	Fiche technique	601En stock	8.61 CHF 4.78 CHF 4.56 CHF 4.53 CHF 4.23 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	SMD/SMT		1 Channel	650 V	47 A	60 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	61 nC	- 40 C	+ 150 C	147 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8.16 CHF 1 019En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R048M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1 019En stock	Bande coupée 8.16 CHF 4.51 CHF 4.23 CHF 4.17 CHF Bobine 4.01 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5.43 CHF 753En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R107M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	753En stock	Bande coupée 5.43 CHF 3.18 CHF 2.90 CHF 2.73 CHF Bobine 2.62 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5.98 CHF 861En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMBG65R072M1HXTMA1 Référence Mouser 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	861En stock	Bande coupée 5.98 CHF 3.76 CHF 3.44 CHF 3.25 CHF Bobine 3.21 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor 1: 5.80 CHF 1 702En stock	Fab. Numéro de référence G3R450MT17D Référence Mouser 905-G3R450MT17D	GeneSiC Semiconductor	SiC MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET En savoir plus sur GeneSiC Semiconductor genesic semi sic mosfets	Fiche technique	1 702En stock	5.80 CHF 5.21 CHF 5.00 CHF 4.69 CHF Afficher 4.49 CHF 4.34 CHF 4.21 CHF 4.04 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	7 A	450 mOhms	- 5 V, + 15 V	2.7 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement
SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC SCT4018KWATL ROHM Semiconductor 1: 22.45 CHF 994En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SCT4018KWATL Référence Mouser 755-SCT4018KWATL Nouveau produit	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC En savoir plus sur ROHM Semiconductor rohm sct40xkwa power mosfets	Fiche technique	994En stock	Bande coupée 22.45 CHF 15.60 CHF 15.59 CHF Bobine 14.57 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7LA	1 Channel	1.2 kV	75 A	23.4 mOhms	- 4 V, + 21 V	4.8 V	170 nC		+ 175 C		Enhancement
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L GP3T020A120H SemiQ 1: 10.13 CHF 391En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence GP3T020A120H Référence Mouser 148-GP3T020A120H Nouveau produit	SemiQ	SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L En savoir plus sur SemiQ gen3 1200v sic mosfets	Fiche technique	391En stock	10.13 CHF 6.07 CHF 5.23 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	TO-247-4L	1 Channel	1.2 kV	280 A	25 mOhms	- 4.5 V, + 18 V	4 V	234 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial C3M0900170J-TR Wolfspeed 1: 4.77 CHF 2 412En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence C3M0900170J-TR Référence Mouser 941-C3M0900170J-TR Nouveau produit	Wolfspeed	SiC MOSFET SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial En savoir plus sur Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Fiche technique	2 412En stock	Bande coupée 4.77 CHF 2.70 CHF 2.33 CHF 1.94 CHF Bobine 1.77 CHF 1.54 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11.79 CHF 1 123En stock 75007.01.2027 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R026M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R026M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	1 123En stock 75007.01.2027 attendu	Bande coupée 11.79 CHF 6.83 CHF 6.70 CHF Bobine 6.38 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	82 A	67 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	63.4 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9.99 CHF 1 507En stock 750Sur commande Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R034M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R034M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	1 507En stock 750Sur commande	Bande coupée 9.99 CHF 7.23 CHF 6.02 CHF 5.37 CHF Bobine 5.02 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	64 A	89 mOhms	- 10 V, + 25 C	5.1 V	48.7 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9.29 CHF 665En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R040M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R040M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	665En stock	Bande coupée 9.29 CHF 5.20 CHF 5.01 CHF 4.68 CHF Bobine 4.68 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	56 A	104 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	42.4 nC	- 55 C	+ 175 C	288 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7.80 CHF 314En stock 75030.11.2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R053M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R053M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	314En stock 75030.11.2026 attendu	Bande coupée 7.80 CHF 4.29 CHF 3.99 CHF 3.72 CHF Bobine 3.72 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	43 A	138 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	32.8 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6.85 CHF 2 150En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMCQ120R078M2HXTMA1 Référence Mouser 726-IMCQ120R078M2HXT Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	2 150En stock	Bande coupée 6.85 CHF 3.72 CHF 3.42 CHF 3.34 CHF Bobine 3.14 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	31 A	205 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	23.2 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 23.03 CHF 228En stock 24030.11.2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMZA120R012M2HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA120R012M2HXK Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	228En stock 24030.11.2026 attendu	23.03 CHF 18.44 CHF 15.95 CHF 15.10 CHF Devis Devis	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV		16 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	480 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R022M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15.32 CHF 267En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMZA120R022M2HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA120R022M2HXK Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	267En stock	15.32 CHF 11.67 CHF 9.73 CHF 8.66 CHF 8.10 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	80 A	29 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	329 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12.73 CHF 310En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IMZA120R026M2HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA120R026M2HXK Nouveau produit	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Fiche technique	310En stock	12.73 CHF 9.69 CHF 8.08 CHF 7.20 CHF 6.12 CHF	Min. : 1 Mult. : 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	69 A	34 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L IXSA110N65L2-7TR IXYS 1: 10.45 CHF 900En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IXSA110N65L2-7TR Référence Mouser 747-IXSA110N65L2-7TR Nouveau produit	IXYS	SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L En savoir plus sur IXYS ixsxnxl2kx sic mosfets	Fiche technique	900En stock	Bande coupée 10.45 CHF 5.92 CHF 5.84 CHF 5.53 CHF Bobine 5.53 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	TO-263-7L	1 Channel	650 V	111 A	33 mOhms	- 5 V, + 20 V	4.5 V	125 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement