MOSFET – Mouser Svizzera

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Vds - Tensione di rottura drain-source

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Seleziona	Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	RoHS	Modello ECAD	Tecnologia	Stile di montaggio	Package/involucro	Polarità transistor	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Rds On - Drain-source sulla resistenza	Vgs - Tensione gate-source	Vgs th - Tensione di soglia gate-source	Qg - Carica del gate	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Modalità canale	Confezione
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 7.27 CHF 268A magazzino NRND	Produttore Codice prodotto IPW65R060CFD7XKSA1 Codice Mouser 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Scheda dati	268A magazzino	7.27 CHF 4.35 CHF 3.67 CHF 3.35 CHF	Min: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 7.97 CHF 300A magazzino	Produttore Codice prodotto IPP65R041CFD7XKSA1 Codice Mouser 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Scheda dati	300A magazzino	7.97 CHF 4.91 CHF 4.26 CHF 3.82 CHF	Min: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 9.62 CHF 126A magazzino	Produttore Codice prodotto IPW65R029CFD7XKSA1 Codice Mouser 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Scheda dati	126A magazzino	9.62 CHF 6.53 CHF 6.36 CHF	Min: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 12.12 CHF 181A magazzino	Produttore Codice prodotto IPZA65R029CFD7XKSA1 Codice Mouser 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Scheda dati	181A magazzino	12.12 CHF 6.82 CHF 6.70 CHF	Min: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 6.52 CHF 71A magazzino 50001.03.2027 previsto	Produttore Codice prodotto IPP65R060CFD7XKSA1 Codice Mouser 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Scheda dati	71A magazzino 50001.03.2027 previsto	6.52 CHF 3.53 CHF 3.24 CHF 2.97 CHF	Min: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: 8.80 CHF 678A magazzino	Produttore Codice prodotto IPW65R041CFD7XKSA1 Codice Mouser 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets	Scheda dati	678A magazzino	8.80 CHF 4.79 CHF 4.44 CHF 4.41 CHF	Min: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube