MOSFET per il settore automobilistico OptiMOS®-P2

I MOSFET per il settore automobilistico OptiMOS®-P2 di Infineon Technologies offrono una gamma completa di MOSFET di potenza per il settore automobilistico a canale P con tecnologia OptiMOS-P2 e Gen5. I MOSFET per il settore automobilistico sono qualificati AEC e supportano una temperatura di funzionamento di 175°C. I MOSFET per il settore automobilistico OptiMOS-P2 di Infineon sono disponibili nei package DPAK, D2PAK, A220, A262 e SO8.

Risultati: 15
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3 855A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 30 V 50 A 13 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 16 113A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.1 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 4 916A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.9 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3 003A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 120 A 4 mOhms - 16 V, 5 V 3 V 180 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3 675A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1 586A magazzino
2 00024.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 P-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.6 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 220 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3 539A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 20 427A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TC252-3-313 P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 12.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 45 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 13 213A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 8.7 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2 141A magazzino
2 50013.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 6 470A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB80P04P405ATMA2
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 1 749A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3-2 P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 2 616A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 73 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 23A magazzino
7 50013.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 70 A 9.5 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 71 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 3 584A magazzino
7 500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 16 V, 5 V 1.7 V 135 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape