NTMFWS1D5N08XT1G

onsemi
863-NTMFWS1D5N08XT1G
NTMFWS1D5N08XT1G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO8FL-8
N-Channel
1 Channel
80 V
253 A
1.43 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 176 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 9 ns
Serie: NTMFWS1D5N08X
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 24 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Japan
Herstellungsland:
Malaysia
Land der Verbreitung:
Japan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

PowerTrench Technologie

Die onsemi  PowerTrench Technologie stellt die  Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen

Die Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen von onsemi steigern den Wirkungsgrad, während gleichzeitig das Systemdesign vereinfacht, der Platzbedarf des Boards reduziert, die Zuverlässigkeit verbessert und die Markteinführung verkürzt wird. Da die weltweite Nachfrage nach Energie bis 2030 um 35 % bis 40 % zunehmen wird, werden die wichtigsten Industrieprodukte von onsemi mit einer Kälteeffizienz betrieben, um den täglichen Energieverbrauch zu senken.

NTMFWS1D5N08X Einkanal N-Typ MOSFET

Der Onsemi NTMFWS1D5N08X Single N-Channel MOSFET integriert eine Diode mit geringem QRR und schneller Freilauf-Bodydiode, wodurch Schaltverluste reduziert werden. Das Gerät NTMFWS1D5N08X bietet einen niedrigen RDS(on), um Leitungsverluste zu minimieren und einen effizienten Betrieb zu gewährleisten. Darüber hinaus tragen der niedrige QG und die geringe Kapazität dazu bei, die Treiberverluste zu minimieren. Der Onsemi NTMFWS1D5N08X N-Einkanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

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