MOSFET SiC – Mouser Svizzera

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650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

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Codice

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 14.81 CHF
448A magazzino

Produttore Codice prodotto
SCT018W65G3-4AG

Codice Mouser
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Scheda dati

448A magazzino

14.81 CHF

11.28 CHF

9.40 CHF

8.37 CHF

7.83 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.79 CHF
614A magazzino

Produttore Codice prodotto
SCT027H65G3AG

Codice Mouser
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

614A magazzino

Nastro continuo

10.79 CHF

7.53 CHF

6.87 CHF

6.24 CHF

Nastrati

5.71 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: 9.15 CHF
487A magazzino

Produttore Codice prodotto
SCT040W65G3-4

Codice Mouser
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

487A magazzino

9.15 CHF

5.50 CHF

4.66 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 10.64 CHF
481A magazzino

Produttore Codice prodotto
SCT040W65G3-4AG

Codice Mouser
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

481A magazzino

10.64 CHF

7.71 CHF

6.60 CHF

5.69 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: 7.26 CHF
1 414A magazzino

Produttore Codice prodotto
SCT055TO65G3

Codice Mouser
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Maggiori informazioni

Scheda dati

1 414A magazzino

Nastro continuo

7.26 CHF

4.96 CHF

4.09 CHF

3.72 CHF

3.40 CHF

Nastrati

3.40 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: 13.14 CHF
22A magazzino
1 00029.01.2027 previsto

Produttore Codice prodotto
SCT018H65G3AG

Codice Mouser
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

22A magazzino

1 00029.01.2027 previsto

Nastro continuo

13.14 CHF

9.27 CHF

7.90 CHF

Nastrati

7.38 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: 9.60 CHF
733A magazzino

Produttore Codice prodotto
SCT040H65G3AG

Codice Mouser
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Maggiori informazioni

Scheda dati

733A magazzino

Nastro continuo

9.60 CHF

6.66 CHF

5.26 CHF

Nastrati

4.97 CHF

MouseReel disponibile

Min: 1
Mult.: 1

: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: 8.17 CHF
14A magazzino
1 80029.01.2027 previsto

Produttore Codice prodotto
SCT040TO65G3

Codice Mouser
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Maggiori informazioni

Scheda dati

14A magazzino

1 80029.01.2027 previsto

Nastro continuo

8.17 CHF

5.61 CHF

4.50 CHF

4.28 CHF

3.96 CHF

Nastrati

3.96 CHF

Min: 1
Mult.: 1

: 1 800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11.92 CHF
5A magazzino
60016.04.2027 previsto

Produttore Codice prodotto
SCT055W65G3-4AG

Codice Mouser
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Maggiori informazioni

Scheda dati

5A magazzino

60016.04.2027 previsto

11.92 CHF

9.08 CHF

8.13 CHF

6.59 CHF

Min: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 6.92 CHF
Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane
Nuovo prodotto

Produttore Codice prodotto
SCT018H65G3-7

Codice Mouser
511-SCT018H65G3-7

Nuovo prodotto

STMicroelectronics

MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Maggiori informazioni

Scheda dati

Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane

Nastrati

6.92 CHF

Min: 1 000
Mult.: 1 000

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

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