MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V

I MOSFET di potenza a trincea   CoolSiC™ M1 da 650 V di Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET CoolSiC M1 sono costruiti su un processo all’avanguardia dei semiconduttori a trincea ottimizzato per fornire le minori perdite di applicazione e la   massima affidabilità di funzionamento . Adatti per temperature elevate e operazioni difficili, questi dispositivi consentono l’implementazione semplificata ed economica della massima efficienza di sistema. 

Risultati: 25
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 995A magazzino
Nastro continuo
7.56 CHF
4.40 CHF
4.06 CHF
3.81 CHF
Nastrati
3.62 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
323A magazzino
7.49 CHF
5.25 CHF
4.91 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 000A magazzino
Nastro continuo
5.02 CHF
2.65 CHF
1.96 CHF
1.95 CHF
Nastrati
1.95 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 009A magazzino
Nastro continuo
8.16 CHF
4.51 CHF
4.23 CHF
4.17 CHF
Nastrati
4.01 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
861A magazzino
Nastro continuo
5.98 CHF
3.76 CHF
3.44 CHF
3.25 CHF
Nastrati
3.21 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
753A magazzino
Nastro continuo
5.43 CHF
3.18 CHF
2.90 CHF
2.73 CHF
Nastrati
2.62 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
1 701A magazzino
11.77 CHF
7.08 CHF
6.98 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
298A magazzino
8.38 CHF
4.82 CHF
4.46 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
143A magazzino
Nastro continuo
14.67 CHF
9.06 CHF
8.81 CHF
Nastrati
8.57 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
654A magazzino
Nastro continuo
4.11 CHF
2.13 CHF
1.94 CHF
1.69 CHF
Nastrati
1.60 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
314A magazzino
6.41 CHF
3.68 CHF
3.43 CHF
3.29 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 26 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
453A magazzino
6.09 CHF
3.19 CHF
2.94 CHF
2.71 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 20 A 142 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
128A magazzino
7.53 CHF
4.32 CHF
3.86 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
39A magazzino
48003.12.2026 previsto
8.66 CHF
4.71 CHF
4.35 CHF
4.32 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
13A magazzino
72030.11.2026 previsto
5.94 CHF
3.76 CHF
3.53 CHF
3.23 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 24 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
17A magazzino
3 600In ordine
12.80 CHF
7.25 CHF
7.19 CHF
7.18 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 59 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
175A magazzino
11.85 CHF
6.65 CHF
6.51 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 53 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
96007.01.2027 previsto
11.66 CHF
6.54 CHF
6.30 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 58 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 48 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Nastrati
5.89 CHF
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 63 A 42 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Nastrati
4.96 CHF
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 54 A 51 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
Nastrati
3.13 CHF
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 28 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 44 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
9.41 CHF
5.16 CHF
4.78 CHF
4.75 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
8.12 CHF
4.98 CHF
4.14 CHF
3.79 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 35 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
3.44 CHF
3.43 CHF
Min: 240
Mult.: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 52 settimane
3.65 CHF
3.19 CHF
Min: 240
Mult.: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26 A 111 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 19 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement