MOSFET NTBG025N065SC1 au carbure de silicium 19mohms

Le MOSFET au carbure de silicium d'onsemi  NTBG025N065SC1 de 19 mΩ est logé dans un boîtier  D2PAK-7L et conçu pour être rapide et robuste. Les dispositifs NTBG025N065SC1 onsemi présentent un champ de rupture diélectrique 10 fois plus élevé et une vitesse de saturation électronique 2 fois plus élevée. Les MOSFET présentent également une bande interdite d'énergie 3x supérieure et une conductivité thermique 3x supérieure. Tous les produits  onsemi  SiC MOSFETs comprennent AEC-Q101 des options qualifiées et conformes aux normes PPAP, spécialement conçues et qualifiées pour l'automobile et applications industrielles.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
1 282En stock
Bande coupée
17.70 CHF
11.53 CHF
10.91 CHF
Bobine
10.91 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Fiche technique
568En stock
Bande coupée
9.85 CHF
5.54 CHF
5.40 CHF
5.11 CHF
Bobine
5.11 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC