MOSFET al carburo di silicio NTBG025N065SC1 19mohm

Il MOSFET NTBG025N065SC1 al carburo di silicio 19mohm di Onsemi   è alloggiato in un package   D2PAK-7L e progettato per essere veloce e robusto. I dispositivi NTBG025N065SC1 di Onsemi   offrono una forza di campo di rottura dielettrica 10 volte maggiore e una velocità di saturazione degli elettroni 2 volte maggiore. I MOSFET offrono anche un intervallo di banda di energia 3 volte superiore e una conduttività termica 3 volte maggiore. Tutti   i MOSFET SiC di Onsemi    sono qualificati AEC-Q101 e compatibili con PPAP e sono specificamente progettati e qualificati per le applicazioni nel settore automobilistico e industriale.

Risultati: 2
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
1 282A magazzino
Nastro continuo
17.70 CHF
11.53 CHF
10.91 CHF
Nastrati
10.91 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Scheda dati
568A magazzino
Nastro continuo
9.85 CHF
5.54 CHF
5.40 CHF
5.11 CHF
Nastrati
5.11 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 40 A 33 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC