MOSFET di potenza a canale N singolo NVTFS6H860NL

Il MOSFET di potenza a canale N singolo NVTFS6H860NL di onsemi è disponibile in formato compatto e design efficienti con prestazioni termiche elevate. Questo MOSFET presenta bassa resistenza drain-to-source (RDS(on)) per minimizzare le perdite di conduzione e bassa capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver. Il MOSFET NVTFS6H860NL è certificato AEC-Q101 e compatibile con PPAP. Questo MOSFET di onsemi è disponibile in un package da 3,3 mm x 3,3 mm. Le applicazioni tipiche includono protezione contro l'inversione della batteria, interruttori di alimentazione (driver high-side, driver low-side e ponti H) e alimentatori di commutazione.

Risultati: 2
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL
Scheda dati
14 590A magazzino
Nastro continuo
1.48 CHF
0.707 CHF
0.631 CHF
0.497 CHF
0.41 CHF
Nastrati
0.41 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL
Scheda dati
2 459A magazzino
Nastro continuo
1.48 CHF
0.707 CHF
0.631 CHF
0.497 CHF
0.435 CHF
Nastrati
0.41 CHF
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel