Stadio di potenza GaN LMG341xR050
Lo stadio di potenza GaN LMG341xR050 di Texas Instruments con driver e protezione integrati consente ai progettisti di raggiungere nuovi livelli di densità di potenza ed efficienza nei sistemi elettronici di potenza. I vantaggi intrinseci di LMG341x, rispetto ai MOSFET al silicio, comprendono la bassissima capacità di ingresso e di uscita, il recupero inverso nullo per ridurre le perdite di commutazione fino all'80% e il basso ringing del nodo di commutazione per ridurre le EMI Questi vantaggi consentono topologie dense ed efficienti come il PFC totem-pole.
