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STH13N120K5-2AG

Name: STMicroelectronics STH13N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH13N120K5-2AG
Price: 9.6 CHF
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STH13N120K5-2AG

N. produttore:

STH13N120K5-2AG

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in

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Scheda dati:

STH13N120K5-2AG Scheda dati (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	H2PAK-2
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	12 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	690 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	44.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	250 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	MDmesh
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	18.5 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	11 ns
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	68.5 ns
Tipico ritardo di accensione:	23 ns
Peso unità:	4 g

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Scheda dati

STH13N120K5-2AG Scheda dati (PDF)

PCN

Codici di conformità

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

STH13N120K5-2AG N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STH13N120K5-2AG N-Channel Power MOSFET features MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. This STMicroelectronics MOSFET dramatically reduces on-resistance and offers ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. The device is AEC-Q101 qualified and Zener protected.

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MouseReel™ (+7.00 CHF)

Prezzi (CHF)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	9.60 CHF	9.60 CHF
	5.39 CHF	53.90 CHF
	5.23 CHF	523.00 CHF
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	4.95 CHF	4 950.00 CHF

† La commissione 7.00 CHF MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

STH13N120K5-2AG

Produttore: STMicroelectronics

Descrizione: MOSFET Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in Completa il tuo progetto

Caratteristiche tecniche

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