FET GaN – Mouser Suisse

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

Les transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V Infineon Technologies disposent d'une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) hautement efficace pour la conversion d'énergie dans une plage de tension jusqu'à 650 V. La technologie GaN d’Infineon amène le concept e‑mode à maturité avec des volumes élevés de production de bout en bout. Cette qualité pionnière garantit les normes les plus élevées et offre les performances les plus fiables. Les transistors de puissance en mode d’amélioration CoolGaN™ Gen 2 650 V améliorent l’efficacité du système et la densité de puissance avec une commutation ultra-rapide.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Résultats: 12

Filtres appliqués:

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Qg - Charge de grille

Température de fonctionnement min.

Pd - Dissipation d’énergie

Mode canal

Tout réinitialiser

Rechercher parmi les résultats

En stock

Normalement en stock

Actif

Nouveaux produits

RoHS : conforme

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Technologie
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 10.24 CHF 5 028En stock 3 60012.11.2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLT65R025D2AUMA1 Référence Mouser 726-IGLT65R025D2AUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	5 028En stock 3 60012.11.2026 attendu	Bande coupée 10.24 CHF 5.80 CHF 5.72 CHF 5.66 CHF 4.86 CHF Bobine 4.86 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	67 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	219 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 3.14 CHF 4 511En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLR65R140D2XUMA1 Référence Mouser 726-IGLR65R140D2XUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	4 511En stock	Bande coupée 3.14 CHF 2.06 CHF 1.44 CHF 1.18 CHF 1.13 CHF Bobine 1.00 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 2.31 CHF 4 815En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLR65R200D2XUMA1 Référence Mouser 726-IGLR65R200D2XUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	4 815En stock	Bande coupée 2.31 CHF 1.50 CHF 1.03 CHF 0.829 CHF Afficher Bobine 0.658 CHF 0.774 CHF 0.76 CHF 0.658 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 2.01 CHF 4 699En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLR65R270D2XUMA1 Référence Mouser 726-IGLR65R270D2XUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	4 699En stock	Bande coupée 2.01 CHF 1.29 CHF 0.885 CHF 0.705 CHF Bobine 0.548 CHF Afficher 0.641 CHF 0.632 CHF 0.545 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 8.86 CHF 1 601En stock 1 80004.02.2027 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLT65R035D2ATMA1 Référence Mouser 726-IGLT65R035D2ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	1 601En stock 1 80004.02.2027 attendu	Bande coupée 8.86 CHF 5.07 CHF 4.81 CHF 4.54 CHF 3.93 CHF Bobine 3.89 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 6.90 CHF 872En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLT65R045D2ATMA1 Référence Mouser 726-IGLT65R045D2ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	872En stock	Bande coupée 6.90 CHF 3.75 CHF 3.44 CHF 3.39 CHF 2.96 CHF Bobine 2.87 CHF MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	38 A	54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W		GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 5.78 CHF Délai de livraison 26 Semaines Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLT65R055D2ATMA1 Référence Mouser 726-IGLT65R055D2ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	Délai de livraison 26 Semaines	Bande coupée 5.78 CHF 3.43 CHF 2.96 CHF 2.71 CHF 2.33 CHF Bobine 2.33 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies 1: 3.80 CHF 1 218En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGLT65R110D2ATMA1 Référence Mouser 726-IGLT65R110D2ATMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	1 218En stock	Bande coupée 3.80 CHF 2.51 CHF 1.78 CHF 1.53 CHF Bobine 1.29 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	15 A	140 mOhms	- 10 V	1.6 V	3.4 nC	- 40 C	+ 150 C		Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 10.73 CHF 582En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGOT65R025D2AUMA1 Référence Mouser 726-IGOT65R025D2AUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	582En stock	Bande coupée 10.73 CHF 7.20 CHF 6.66 CHF 5.78 CHF Bobine 5.04 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	61 A	30 mOhms	- 10 V	1.6 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	181 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 8.88 CHF 457En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGOT65R035D2AUMA1 Référence Mouser 726-IGOT65R035D2AUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	457En stock	Bande coupée 8.88 CHF 4.94 CHF 4.72 CHF 4.01 CHF Bobine 4.01 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		42 mOhms	- 10 V	1.6 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 7.10 CHF 2 028En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGOT65R045D2AUMA1 Référence Mouser 726-IGOT65R045D2AUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	2 028En stock	Bande coupée 7.10 CHF 3.88 CHF 3.47 CHF Bobine 3.07 CHF 3.00 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		54 mOhms	- 10 V	1.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	GaN
FET GaN HV GAN DISCRETES IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies 1: 5.93 CHF 583En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence IGOT65R055D2AUMA1 Référence Mouser 726-IGOT65R055D2AUMA Nouveau produit	Infineon Technologies	FET GaN HV GAN DISCRETES En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Fiche technique	583En stock	Bande coupée 5.93 CHF 3.18 CHF 2.91 CHF 2.35 CHF Bobine 2.35 CHF	Min. : 1 Mult. : 1 : 800	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V		66 mOhms	- 10 V	1.6 V	6.6 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN

Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

Filtres appliqués:

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance