SiC-MOSFETs – Mouser Schweiz

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650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

Die 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation von Toshiba sind für Hochleistungs-Industrieapplikationen wie 400 V und 800 V AC- Eingang und AC-DC-Netzteile, Photovoltaik-Umrichter (PV) und bidirektionale DC/DC-Wandler für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) ausgelegt. Diese MOSFETs von Toshiba tragen aufgrund der SiC-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Verbesserung der Leistungsdichte bei. Diese Technologie ermöglicht höhere Spannungen, schnellere Schaltvorgänge und einen geringeren On-Widerstand. Das Design bietet eine bessere Zuverlässigkeit zusätzlich zu einer niedrigen Eingangskapazität, einem gemeinsamen Gate-Eingangsladung und einem Drain-Source-Einschaltwiderstand von nur 15 mΩ.

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Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW031V65C,LQ
Toshiba
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757-TW031V65CLQ

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Toshiba

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.031 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

45 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW054V65C,LQ
Toshiba
1: 9.56 CHF
2 480Auf Lager
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757-TW054V65CLQ

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Toshiba

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.054 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Reel

4.43 CHF

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DFN-5

N-Channel

1 Channel

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36 A

81 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

TW092V65C,LQ
Toshiba
1: 7.93 CHF
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Toshiba

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.092 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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7.93 CHF

5.44 CHF

4.09 CHF

3.56 CHF

Reel

3.48 CHF

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Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

136 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC-MOSFETs N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.123 Ohma.18 V, DFN 8 x 8, 3rd Gen.

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Toshiba
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Reel

2.55 CHF

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: 2 500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

183 mOhms

- 10 V, 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z65C,S1F
Toshiba
1: 18.25 CHF
142Auf Lager

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11.54 CHF

11.53 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

+ 175 C

342 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 30mohm

TW030Z120C,S1F
Toshiba
1: 12.76 CHF
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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

60 A

30 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 15mohm

TW015Z120C,S1F
Toshiba
1: 21.10 CHF
20Auf Lager
60erwartet ab 16.10.2026

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13.51 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

15 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

+ 175 C

431 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 45mohm

TW045Z120C,S1F
Toshiba
1: 11.92 CHF
40Auf Lager

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TW045Z120C,S1F

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

+ 175 C

182 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 48mohm

TW048Z65C,S1F
Toshiba
1: 8.44 CHF
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8.44 CHF

5.00 CHF

4.22 CHF

4.14 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

48 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 60mohm

TW060Z120C,S1F
Toshiba
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36Auf Lager

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TW060Z120C,S1F

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11.08 CHF

8.06 CHF

5.63 CHF

5.38 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

60 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 107mohm

TW107Z65C,S1F
Toshiba
1: 6.47 CHF
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TW107Z65C,S1F

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40Auf Lager

6.47 CHF

3.90 CHF

3.14 CHF

2.91 CHF

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Mult.: 1

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

107 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

TW140Z120C,S1F
Toshiba
1: 9.63 CHF
61Auf Lager

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TW140Z120C,S1F

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757-TW140Z120CS1F

Toshiba

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247-4L 140mohm

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5.76 CHF

4.73 CHF

4.48 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

140 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

+ 175 C

107 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm

TW060N120C,S1F
Toshiba
1: 11.08 CHF
201Auf Lager

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TW060N120C,S1F

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11.08 CHF

6.71 CHF

5.92 CHF

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

TW107N65C,S1F
Toshiba
1: 6.47 CHF
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TW107N65C,S1F

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757-TW107N65CS1F

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SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 107mohm

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30Auf Lager

6.47 CHF

3.75 CHF

3.14 CHF

2.91 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

113 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N120C,S1F
Toshiba
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13.51 CHF

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

158 nC

- 55 C

+ 175 C

431 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

TW015N65C,S1F
Toshiba
1: 18.25 CHF
49Auf Lager

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TW015N65C,S1F

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757-TW015N65CS1F

Toshiba

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 15mohm

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49Auf Lager

18.25 CHF

11.54 CHF

11.24 CHF

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

21 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

342 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

TW027N65C,S1F
Toshiba
1: 11.01 CHF
2Auf Lager

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TW027N65C,S1F

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757-TW027N65CS1F

Toshiba

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 27mohm

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2Auf Lager

11.01 CHF

8.38 CHF

6.99 CHF

6.22 CHF

5.81 CHF

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

37 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

TW030N120C,S1F
Toshiba
1: 13.44 CHF
67Auf Lager

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TW030N120C,S1F

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757-TW030N120CS1F

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SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 30mohm

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67Auf Lager

13.44 CHF

9.80 CHF

7.10 CHF

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

TW045N120C,S1F
Toshiba
1: 12.32 CHF
111Auf Lager

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TW045N120C,S1F

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757-TW045N120CS1F

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SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

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111Auf Lager

12.32 CHF

8.72 CHF

7.50 CHF

6.51 CHF

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

TW083N65C,S1F
Toshiba
1: 7.82 CHF
15Auf Lager

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TW083N65C,S1F

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757-TW083N65CS1F

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SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 83mohm

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15Auf Lager

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4.69 CHF

3.65 CHF

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

145 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

76 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

TW083Z65C,S1F
Toshiba
1: 7.66 CHF
25Auf Lager

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TW083Z65C,S1F

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757-TW083Z65CS1F

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SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 83mohm

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7.66 CHF

4.50 CHF

3.80 CHF

3.65 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

83 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

28 nC

+ 175 C

111 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

TW140N120C,S1F
Toshiba
1: 9.63 CHF
176Auf Bestellung

Herst. Teilenr.
TW140N120C,S1F

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757-TW140N120CS1F

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SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 140mohm

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176Auf Bestellung

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5.76 CHF

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

182 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

TW027Z65C,S1F
Toshiba
1: 10.94 CHF
Nicht auf Lager

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TW027Z65C,S1F

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757-TW027Z65CS1F

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SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247-4L 27mohm

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6.62 CHF

5.66 CHF

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TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

27 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

65 nC

+ 175 C

156 W

Enhancement

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

TW048N65C,S1F
Toshiba
1: 8.44 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen

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TW048N65C,S1F

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757-TW048N65CS1F

Toshiba

SiC-MOSFETs G3 650V SiC-MOSFET TO-247 48mohm

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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen

8.44 CHF

5.00 CHF

3.86 CHF

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

40 A

65 mOhms

- 10 V, + 25 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation

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