MOSFET al carburo di silicio di 3a generazione 650 V e 1200 V

I MOSFET in carburo di silicio di 3ª generazione da 650 V e 1200 V di Toshiba sono progettati per applicazioni industriali ad alta potenza come alimentatori CA-CC con ingresso CA da 400 V e 800 V, inverter fotovoltaici (PV) e convertitori CC-CC bidirezionali per gruppi statici di continuità (UPS). Questi MOSFET Toshiba contribuiscono in modo significativo a ridurre il consumo energetico e a migliorare la densità di potenza grazie alla tecnologia SiC. Questa tecnologia consente tensioni più elevate, commutazione più rapida e resistenza in conduzione inferiore. La progettazione offre un'affidabilità migliorata oltre a bassa capacità elettrica di ingresso, carica gate-input comune e una resistenza in conduzione drain-source fino a 15 mΩ.