X4-Class 135V-200V Power MOSFETs

IXYS X4-Class 135V-200V Power MOSFETs are developed using a charge compensation principle and proprietary process technology. This technology results in Power MOSFETs with significantly reduced resistance RDS(on) and gate charge Qg. A low on-state resistance reduces the conduction losses and lowers the energy stored in the output capacitance, minimizing the switching losses. A low gate charge results in higher efficiency at light loads and lowers gate drive requirements. These MOSFETs are also avalanche-rated and exhibit a superior dv/dt performance. Due to its positive temperature coefficient of on-state resistance, these MOSFETs can be operated in parallel to meet higher current requirements.

Risultati: 4
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
IXYS MOSFET TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
Scheda dati
1 497A magazzino
55.99 CHF
47.82 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 400 A 3.1 mOhms 20 V 4.5 V 430 nC - 55 C + 175 C 1.5 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
Scheda dati
1 208A magazzino
19.69 CHF
11.60 CHF
11.47 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 30 settimane
13.90 CHF
10.59 CHF
8.82 CHF
7.45 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET IXTP170N13X4
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 30 settimane
7.80 CHF
Min: 300
Mult.: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 170 A 6.3 mOhms 20 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube