Driver di porta IGBT/SiC avanzati GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Risultati: 8
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Serie
Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Tensione di isolamento
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Tensione di alimentazione - Max.
Tensione di alimentazione - Min.
Confezione
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
2 315A magazzino
8.60 CHF
6.72 CHF
6.24 CHF
5.63 CHF
Min: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
1 000A magazzino
9.43 CHF
7.38 CHF
6.87 CHF
6.49 CHF
5.95 CHF
Min: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Nastro continuo
8.53 CHF
6.65 CHF
6.19 CHF
5.68 CHF
Nastrati
5.26 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Nastro continuo
9.32 CHF
7.28 CHF
6.78 CHF
6.22 CHF
6.15 CHF
Nastrati
5.77 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Nastrati
5.70 CHF
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
5.70 CHF
Min: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Nastrati
6.24 CHF
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
6.24 CHF
Min: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray