Driver di porta IGBT/SiC avanzati GD3162

NXP Semiconductors GD3162 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules in xEV traction inverters. The NXP Semiconductors GD3162 drivers enable space savings and performance through advanced gate-drive functionality. The device includes integrated galvanic isolation, a programmable SPI interface, and advanced protection features like overtemperature, desaturation, and current sense protection. With integrated boost capability, the GD3162 can directly drive most SiC MOSFET and IGBT/SiC module gates.

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Serie
Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Tensione di isolamento
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Tensione di alimentazione - Max.
Tensione di alimentazione - Min.
Confezione
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
2 327A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Gate driver isolati galvanicamente Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 39 settimane
Min: 176
Mult.: 176

GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray