1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit Schalldioden

Die 1200-V-Trench-XPT™-IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) und Schalldioden von Littelfuse werden mit der XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und den Trench-IGBT-Verfahren entwickelt. Die Transistoren verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand und sind für geringe Schaltverluste optimiert. Die 1200-V-Trench-XPT-IGBTs mit Schalldioden von Littelfuse bieten eine hohe Strombelastbarkeit, eine hohe Leistungsdichte und eine antiparallele Schalldiode. Diese Trench-XPT-Transistoren eignen sich hervorragend für Wechselrichter, Motorantriebe, Blindleistungskompensations-Schaltungen (Power Factor Correction, PFC) und Batterieladegerät-Applikationen.

Arten von diskreten Halbleitern
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Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS IGBTs IXYK85N120C4H1
Datenblatt
945Auf Lager
23.68 CHF
15.99 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs IXYH40N120B4H1
Datenblatt
315Auf Lager
12.10 CHF
7.39 CHF
6.70 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
Datenblatt
629Auf Lager
14.39 CHF
8.91 CHF
8.90 CHF
8.77 CHF
8.48 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT-Module IXYN85N120C4H1
Datenblatt
382Auf Lager
210erwartet ab 31.03.2027
32.99 CHF
24.57 CHF
24.22 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBTs IXYH30N120C4H1
Datenblatt
288Auf Lager
10.51 CHF
6.34 CHF
5.64 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH40N120C4H1
Datenblatt
363Auf Lager
12.10 CHF
7.39 CHF
6.78 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs IXYH55N120B4H1
Datenblatt
315Auf Lager
16.28 CHF
10.19 CHF
9.93 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT-Module IXYN110N120B4H1
Datenblatt
231Auf Lager
39.35 CHF
30.12 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B
IXYS IGBT-Module IXYN110N120C4H1
Datenblatt
94Auf Lager
39.32 CHF
29.68 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Si Screw Mount SOT-227B