MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) 650 V

I MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) 650 V di Onsemi utilizzano una tecnologia che fornisce prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza In conduzione e le dimensioni del chip compatte garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema. Il package TOLL di onsemi offre migliori prestazioni termiche ed eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla configurazione della sorgente Kelvin e alla minore induttanza della sorgente parassita. Il package TOLL offre un livello di sensibilità all'umidità 1 (MSL 1).

Risultati: 6
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S 420A magazzino
15.96 CHF
9.86 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 44
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S 365A magazzino
13.59 CHF
7.78 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 42
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S 439A magazzino
16.85 CHF
10.60 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 44
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S 450A magazzino
14.52 CHF
11.06 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL 1 983A magazzino
Nastro continuo
8.20 CHF
4.53 CHF
4.18 CHF
4.02 CHF
Nastrati
4.02 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT SO-8 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL 1 970A magazzino
Nastro continuo
7.14 CHF
3.89 CHF
3.58 CHF
3.36 CHF
3.35 CHF
Nastrati
3.35 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT SO-8 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC