Kleinsignal-MOSFETs für Automotive

Die Kleinsignal-MOSFETs für Automotive von Toshiba sind AEC-Q101-qualifizierte Semi-Power-MOSFETs mit kompaktem Gehäuse. Die Bauteile unterstützen eine breite Palette von Automotive-Applikationen für Batteriesysteme von 12 bis 48 V, einschließlich Powerline-Lastschalter, LED-Scheinwerfer und BMS-Zellenausgleichsschaltungen. Bei dem SOT-23F handelt es sich um ein von Toshiba entwickeltes Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten im Gegensatz zu dem bestehenden SOT-23-Gehäuse mit flachen Anschlussdrähten. Dies verbessert die Wärmeableitung durch eine größere Kontaktfläche zwischen dem Gehäuse und der Leiterplatte (PCB). Da die Qualität der Montage und die Zuverlässigkeit in rauen thermischen Umgebungen ein übliches Anliegen für Flat-Lead-Gehäuse ist, wurden die Anforderungen an die Temperaturwechselbeständigkeit für Automotive-Applikationen erfüllt. Darüber hinaus sind die Bauelemente mit dem Vorgängergehäuse SOT-23 kompatibel. Durch die Kombination von hochentwickelten Wafer-Verarbeitungs- und Gehäusetechniken bieten der SSM3K341R und der SSM3K361R im SOT-23F-Gehäuse einen branchenführenden RDS(ON) von 36 mΩ bzw. 65 mΩ (bei VGS=4,5 V). Der niedrige Einschaltwiderstand ermöglicht eine Verkleinerung der Applikationsgröße bei gleichzeitiger Reduzierung der Energieverluste. Darüber hinaus unterstützen beide Bauteile eine maximale Kanaltemperatur von +175 °C und können in Automotive-Applikationen mit anspruchsvollen Betriebsbedingungen eingesetzt werden.

Ergebnisse: 10
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
86 515Auf Lager
Cut-Tape
0.532 CHF
0.24 CHF
0.211 CHF
0.159 CHF
Reel
0.122 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
8 853Auf Lager
Cut-Tape
0.821 CHF
0.376 CHF
0.333 CHF
0.256 CHF
Reel
0.199 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
62 259Auf Lager
Cut-Tape
0.837 CHF
0.585 CHF
0.371 CHF
0.228 CHF
Reel
0.15 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
6 352Auf Lager
Cut-Tape
0.523 CHF
0.236 CHF
0.207 CHF
0.156 CHF
Reel
0.119 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -2A AECQ MOSFET
4 799Auf Lager
Cut-Tape
0.411 CHF
0.183 CHF
0.161 CHF
0.121 CHF
Reel
0.09 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
7 473Auf Lager
15 000erwartet ab 20.11.2026
Cut-Tape
0.418 CHF
0.188 CHF
0.165 CHF
0.124 CHF
Reel
0.11 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
2 241Auf Lager
Cut-Tape
0.338 CHF
0.149 CHF
0.13 CHF
0.097 CHF
Reel
0.072 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
972Auf Lager
9 000Auf Bestellung
Cut-Tape
0.709 CHF
0.325 CHF
0.286 CHF
0.219 CHF
Reel
0.16 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
2 363Auf Lager
3 000erwartet ab 11.12.2026
Cut-Tape
0.877 CHF
0.547 CHF
0.359 CHF
0.283 CHF
Reel
0.218 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
83 587Auf Bestellung
Cut-Tape
0.70 CHF
0.422 CHF
0.338 CHF
0.245 CHF
Reel
0.184 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel