MOSFET (D-S) 30-45 V a canale N

I MOSFET (D-S) 30-45 V a canale N Vishay sono MOSFET di potenza Gen IV TrenchFET® con una cifra di merito (FOM) RDS Qg molto bassa. I dispositivi sono regolati per il FOM RDS - Qoss più basso con una funzione di raffreddamento sul lato superiore che fornisce una sede aggiuntiva per i trasferimenti termici. I MOSFET sono testati al 100% Rg e UIS.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) 175C MOSFET 11 272A magazzino
Nastro continuo
3.11 CHF
1.57 CHF
1.42 CHF
1.16 CHF
Nastrati
1.10 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 228 A 1.36 mOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 167 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET 6 316A magazzino
21 00028.01.2027 previsto
Nastro continuo
1.87 CHF
1.17 CHF
0.768 CHF
0.61 CHF
0.565 CHF
Nastrati
0.495 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.9 mOhms 20 V 2.4 V 54 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
5 95713.01.2027 previsto
Nastro continuo
3.21 CHF
1.87 CHF
1.52 CHF
1.29 CHF
1.24 CHF
Nastrati
1.11 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 291 A 960 uOhms - 16 V, 20 V 2.3 V 165 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel