Risultati: 5
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp 1 148A magazzino
2.73 CHF
1.78 CHF
1.24 CHF
1.02 CHF
0.885 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 535A magazzino
Nastro continuo
1.93 CHF
1.24 CHF
1.02 CHF
0.87 CHF
Nastrati
0.805 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 5A N-CH MOSFET
3 050A magazzino
1.65 CHF
1.12 CHF
0.749 CHF
0.644 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT IRF8
1 157A magazzino
1.93 CHF
1.34 CHF
0.945 CHF
0.727 CHF
0.70 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1 000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1 057A magazzino
2.52 CHF
1.34 CHF
1.12 CHF
0.917 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube