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MOSFET DTMOS VI ad alta tensione in package TOLL
I MOSFET DTMOSVI ad alta tensione di Toshiba in package TOLL presentano una bassa resistenza in conduzione drain-source (Rdson) e proprietà di commutazione ad alta velocità con minore capacità. Ciò li rende ideali per applicazioni di alimentazione a commutazione. Questa ultima generazione DTMOSVI offre la cifra di merito più bassa RDS (ON) xQgd ed è alloggiata nel nuovo package TOLL (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) con una connessione sorgente Kelvin per ridurre le perdite di accensione e spegnimento.