Transistor bipolari a gate isolato modello BID

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) modello BID di Bourns combinano la tecnologia da un gate MOSFET e un transistor bipolare e sono progettati per applicazioni ad alta tensione/alta corrente. Gli IGBT Modello BID utilizzano la tecnologia Trench-Gate Field-Stop avanzata per fornire un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, con una tensione di saturazione collettore-emettitore più bassa e minori perdite di commutazione. Gli IGBT presentano un intervallo delle temperature di funzionamento da -55°C a +150°C e sono disponibili in package TO-252, TO-247 e TO-247N. Questi componenti termicamente efficienti offrono una resistenza termica inferiore, che li rende soluzioni IGBT adatte ad alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità (UPS) e applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Package/involucro Stile di montaggio Configurazione Tensione collettore-emettitore VCEO Max Tensione di saturazione collettore-emettitore Tensione gate-emettitore massima Collettore a corrente continua a 25 °C Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 24 137A magazzino
Nastro continuo
1.80 CHF
1.15 CHF
0.777 CHF
0.619 CHF
0.567 CHF
Nastrati
0.526 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L 5 797A magazzino
6.56 CHF
3.80 CHF
3.19 CHF
3.00 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L 2 780A magazzino
4.69 CHF
2.66 CHF
2.24 CHF
2.15 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L 2 967A magazzino
4.65 CHF
2.66 CHF
2.24 CHF
2.23 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L 2 773A magazzino
6.07 CHF
3.80 CHF
3.19 CHF
3.00 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 14A magazzino
3 60022.10.2026 previsto
4.43 CHF
2.65 CHF
2.18 CHF
1.86 CHF
1.80 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 9A magazzino
4 20005.10.2026 previsto
5.44 CHF
3.25 CHF
2.71 CHF
2.32 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N 137A magazzino
4.55 CHF
2.77 CHF
2.22 CHF
1.65 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube