Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

I transistor di potenza RF GaN Qorvo QPD1426/QPD1426L sono HEMT discreti GaN-on-SiC da 220 W che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz, fornendo tipicamente una potenza di uscita saturata di 53,5 dBm con un guadagno di grande segnale di 17 dB e un'efficienza del drain del 70%.