MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

I MOSFET di potenza automotive OptiMOS™ 7 da 100 V di Infineon Technologies sono dispositivi a canale N avanzati progettati per la commutazione di potenza ad elevata efficienza nelle moderne architetture dei veicoli. Costruiti sulla tecnologia OptiMOS™ 7 da 100 V questi MOSFET offrono una bassissima resistenza di conduzione, un comportamento di commutazione rapido e un'elevata capacità di valanga, consentendo di ridurre le perdite di conduzione e di commutazione mantenendo al contempo una forte robustezza e prestazioni termiche. Queste funzionalità supportano progetti ad alta densità di potenza in pacchetti compatti, ideali per ambienti delsettore automobilistico esigenti che richiedono affidabilità, efficienza e funzionamento coerenti.

Risultati: 3
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Infineon Technologies MOSFET 100 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Scheda dati
2 630A magazzino
Nastro continuo
7.69 CHF
4.23 CHF
3.91 CHF
3.58 CHF
Nastrati
3.32 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 446 A 0.88 mOhms 20 V 3.2 V 187 nC - 55 C + 175 C 393 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Scheda dati
3 818A magazzino
Nastro continuo
1.59 CHF
0.762 CHF
0.681 CHF
0.539 CHF
Nastrati
0.455 CHF
Visualizza
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Scheda dati
4 000In ordine
Nastrati
1.64 CHF
Min: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel