Moduli IGBT doppi 1200 V

I moduli Infineon 1200V Dual IGBT sono moduli EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 con diodo 7 controllato da emettitore, NTC e tecnologia di contatto PressFIT. I moduli IGBT offrono una maggiore corrente di uscita dell'inverter per un telaio delle stesse dimensioni, evitando il parallelismo. I moduli IGBT doppi da 1200 V Infineon forniscono un assemblaggio semplice e affidabile con un'elevata affidabilità di interconnessione.

Risultati: 11
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Prodotto
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Collettore a corrente continua a 25 °C
Corrente di perdita gate-emettitore
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Scheda dati
17A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Scheda dati
19A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 650 V, 450 A dual IGBT module
Scheda dati
9A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT MEDIUM POWER 62MM
Scheda dati
10A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Scheda dati
33A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Scheda dati
4121.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Scheda dati
6A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Scheda dati
1A magazzino
1028.01.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT MEDIUM POWER 62MM
Scheda dati
20In ordine
Min: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Moduli IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane
Min: 10
Mult.: 10

Tray