GaN FETs – Mouser Svizzera

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TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

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Seleziona	Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	RoHS	Modello ECAD	Stile di montaggio	Package/involucro	Polarità transistor	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Vgs - Tensione gate-source	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Frequenza di lavoro massima	Frequenza di lavoro minima	Tecnologia
	GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V TGF2965-SM Qorvo 1: 64.50 CHF 588A magazzino	Produttore Codice prodotto TGF2965-SM Codice Mouser 772-TGF2965-SM	Qorvo	GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V Maggiori informazioni su Qorvo tgf2965 sm transistor	Scheda dati	588A magazzino	64.50 CHF 63.86 CHF 49.41 CHF	Min: 1 Mult.: 1			SMD/SMT	QFN-16	P-Channel		32 V	600 mA				7.5 W	3 GHz	30 MHz	GaN
	GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT TGF2965-SMTR13 Qorvo 2 500: 51.17 CHF Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane	Produttore Codice prodotto TGF2965-SMTR13 Codice Mouser 772-TGF2965-SMTR13	Qorvo	GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT	Scheda dati	Tempo di consegna, se non a magazzino 12 settimane	Nastrati 51.17 CHF	Min: 2 500 Mult.: 2 500 : 2 500			SMD/SMT	QFN-16	N-Channel	1 Channel	32 V	600 mA	- 7 V, + 2 V	- 40 C	+ 85 C	7.5 W			GaN-on-SiC

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