MOSFET di potenza a canale N singolo

I MOSFET di potenza N-Channel singoli di Onsemi sono progettati per progetti compatti ed efficienti con un ingombro ridotto. Questi MOSFET di potenza hanno bassa RDS(ON), bassa QG e capacità elettrica riducendo al minimo le perdite di conduzione e driver. Questi MOSFET sono disponibili con tensioni di drain-source di 40 V, 60 V e 80 V e una tensione di gate-sorgente di ±20 V. I MOSFET di potenza a canale N singolo Onsemi sono privi di piombo e conformi a RoHS.

Risultati: 34
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK 1 087A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 77 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF 923A magazzino
4 50011.12.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 330
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 28 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 6A magazzino
20 00007.05.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3 710
: 5 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE 2 785A magazzino
1 50005.01.2028 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 360
: 1 500

Si SMD/SMT WDFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 3 276A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 50
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 384 A 600 uOhms 20 V 3.5 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 5 000A magazzino
5 00007.05.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 80
: 5 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 310 A 580 uOhms - 12 V, 16 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 87 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 2 938A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 70
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 207 A 1.3 mOhms 20 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 7 228A magazzino
4 50012.03.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1 340
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 94 A 3.1 mOhms 20 V 3.5 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK 2 950A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK 3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK 2 350A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 4 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE 1 571A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 120
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 178 A 1.43 mOhms 20 V 3.5 V 35.4 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE 1 139A magazzino
3 00001.12.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 310
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 4.9 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 1 425A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 150
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE 104A magazzino
3 00007.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 640
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms 20 V 3.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 721A magazzino
13 500In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms 20 V 3.5 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE 1 368A magazzino
1 50015.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 1 500

Si SMD/SMT WDFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 178 A 1.43 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK 2 220A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 132 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE 2 795A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT WDFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 1 479A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 3 142A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 550
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 6 452A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TCPAK57 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.49 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 92.2 nC - 55 C + 175 C 113 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T8 80V LL U8FL 2 701A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 208A magazzino
7 50022.12.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW5 N-Channel 1 Channel 80 V 156 A 2.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF 998A magazzino
4 50006.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 71 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel