FET SiC UJ3C

I FET SiC QorvoUJ3C sono FET al carburo di silicio (SiC) basati su un’esclusiva configurazione cascode e ottimizzati per design a commutazione soft. I FET SiC UJ3C sono ideali per aggiornare un dispositivo esistente a base di silicio o avviare un nuovo design basato su SiC. Questi dispositivi integrano un SiC JFET con un Si-MOSFET progettato su misura per produrre la combinazione ideale di funzionamento normalmente OFF, diodo corpo ad alte prestazioni e azionamento facile cancello del MOSFET conefficienza, velocità e valutazione ad alta temperatura del SiC JFET. Di conseguenza, i sistemi esistenti possono aspettarsi un aumento delle prestazioni con minori perdite di conduzione e commutazione, proprietà termiche migliorate e protezione ESD del gate integrata. 

Risultati: 11
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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Scheda dati
1 525A magazzino
2 00024.11.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
Scheda dati
720A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Scheda dati
365A magazzino
1 00028.12.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 250

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
Scheda dati
532A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Scheda dati
435A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Scheda dati
1 310A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
Scheda dati
392A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Scheda dati
635A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 110

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Scheda dati
590A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2
Scheda dati
54A magazzino
60016.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Scheda dati
9A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET