Transistor GaN di potenza RF A5Gx Airfast

I transistor GaN di potenza RF A5Gx Airfast di NXP Semiconductors  sono transistor GaN di potenza RF Doherty asimmetrici da 85 W e 112 W. I transistor A5Gx di NXP Semiconductors  sono ideali per le stazioni base cellulari che necessitano di ampie larghezze di banda. Le prestazioni dei dispositivi sono garantite nell'intervallo difrequenza specificato per ciascuna parte, ma non al di fuori dello stesso.