Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 622A magazzino
48005.11.2026 previsto
16.81 CHF
12.14 CHF
10.55 CHF
10.07 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 1 335A magazzino
14.92 CHF
10.27 CHF
8.87 CHF
8.26 CHF
7.88 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 683A magazzino
24019.10.2026 previsto
10.09 CHF
5.58 CHF
5.28 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 632A magazzino
8.18 CHF
4.42 CHF
4.08 CHF
4.07 CHF
4.01 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 9A magazzino
960In ordine
21.43 CHF
13.73 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 18A magazzino
960In ordine
12.56 CHF
7.17 CHF
6.67 CHF
6.65 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 5A magazzino
96026.08.2027 previsto
7.66 CHF
4.11 CHF
3.79 CHF
3.39 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1 992In ordine
9.95 CHF
5.60 CHF
5.11 CHF
4.90 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC