TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die TRSx65H Siliziumkarbid-(SIC-)Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Toshiba sind 650-V-Bauteile, die auf der Technologie der dritten Generation mit Schottky-Metall basieren. Diese Bauelemente optimieren die Sperrschicht-Schottky-Struktur (JBS) der Produkte der zweiten Generation, reduzieren das elektrische Feld an der Schottky-Schnittstelle sowie den Ableitstrom und liefern einen verbesserten Wirkungsgrad. Der TRSx65H erreicht eine 17 % niedrigere Durchlassspannung (1,2 V, typisch) und verbessert im Vergleich mit Bauteilen der zweiten Generation die Kompromisse zwischen der Durchlassspannung und der gesamten kapazitiven Ladung (17 nC, typisch). Mit einem verbesserten Durchlassspannungs- und Sperrstrom-Verhältnis wird ein typischer Isolationswiderstand von 1,1 µA erreicht. Andere Funktionen umfassen DC-Durchlassstrom von bis zu 12 A und nicht-periodische Rechteckwellen-Stoßströme von bis zu 640 A.

Ergebnisse: 12
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Verpackung
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
Datenblatt
6 822Auf Lager
Cut-Tape
1.87 CHF
0.91 CHF
0.821 CHF
0.775 CHF
Reel
0.775 CHF
0.537 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
Datenblatt
4 799Auf Lager
Cut-Tape
2.22 CHF
1.10 CHF
0.983 CHF
0.894 CHF
Reel
0.894 CHF
0.675 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
Datenblatt
2 244Auf Lager
Cut-Tape
2.58 CHF
1.67 CHF
1.14 CHF
1.07 CHF
Reel
0.803 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
Datenblatt
1 933Auf Lager
Cut-Tape
2.83 CHF
1.58 CHF
1.29 CHF
1.24 CHF
Reel
0.934 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
Datenblatt
3 798Auf Lager
Cut-Tape
3.08 CHF
2.01 CHF
1.47 CHF
1.41 CHF
Reel
1.41 CHF
1.06 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Datenblatt
1Auf Lager
2.04 CHF
1.19 CHF
0.738 CHF
0.681 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Datenblatt
150Auf Lager
2.80 CHF
1.41 CHF
1.35 CHF
1.02 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Datenblatt
63Auf Lager
150erwartet ab 26.03.2027
3.07 CHF
1.86 CHF
1.54 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Datenblatt
208Auf Lager
1.87 CHF
0.91 CHF
0.901 CHF
0.779 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Datenblatt
127Auf Lager
2.22 CHF
1.09 CHF
1.08 CHF
0.983 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Datenblatt
21Auf Lager
2.67 CHF
1.32 CHF
1.18 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Datenblatt
172Auf Bestellung
1.78 CHF
0.91 CHF
0.648 CHF
0.59 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube